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FQU2N100TU产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQU2N100TU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQU2N100TU价格参考。Fairchild SemiconductorFQU2N100TU封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 1000V 1.6A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) I-PAK。您可以下载FQU2N100TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQU2N100TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 1000V 1.6A IPAKMOSFET 1000V/1.6A/N-CH |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 1.6 A |
Id-连续漏极电流 | 1.6 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQU2N100TUQFET® |
数据手册 | |
产品型号 | FQU2N100TU |
PCN封装 | |
Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
Pd-功率耗散 | 2.5 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 7.1 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 7.1 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 1 kV |
Vds-漏源极击穿电压 | 1 kV |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 30 ns |
下降时间 | 35 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 520pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15.5nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 9 欧姆 @ 800mA,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | I-Pak |
典型关闭延迟时间 | 25 ns |
功率-最大值 | 2.5W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 343.080 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
封装/箱体 | IPAK-3 |
工厂包装数量 | 70 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 70 |
正向跨导-最小值 | 1.9 S |
漏源极电压(Vdss) | 1000V(1kV) |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.6A (Tc) |
系列 | FQU2N100 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | FQU2N100TU_NL |