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Datasheet下载- 型号： FQU17P06TU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQU17P06TU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQU17P06TU价格参考。Fairchild SemiconductorFQU17P06TU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQU17P06TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQU17P06TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQU17P06TU 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。其应用场景主要包括以下几个方面： 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS)：FQU17P06TU 的低导通电阻 (Rds(on)) 和高开关速度使其非常适合用于开关电源中的功率开关，能够提高效率并减少能量损耗。 - DC-DC 转换器：在降压或升压转换器中作为主开关或同步整流器使用，支持高效的电压转换。 - 负载开关：可用于便携式设备中的负载开关，控制电路的开启和关闭。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制：适用于驱动小型直流电机，如风扇、泵或其他低功率电机，提供高效且可靠的开关功能。 - H 桥电路：在 H 桥电路中用作功率开关，实现电机的正转、反转和制动。 3. 电池管理 - 电池保护电路：用于锂电池或镍氢电池组的保护电路中，防止过充、过放或短路。 - 电量监测：通过精确控制电流流动，帮助实现电池电量的监测和管理。 4. 消费电子 - 便携式设备：如智能手机、平板电脑、蓝牙音箱等，FQU17P06TU 可用于电源管理和信号切换。 - USB 充电接口：在 USB 充电接口中作为保护开关，防止过流或短路。 5. 通信设备 - 信号切换：在通信设备中用作信号路径的开关，确保信号的快速切换和隔离。 - 天线切换：在射频前端模块中，用于天线切换以优化信号传输。 6. 工业应用 - 传感器接口：用于工业自动化系统中的传感器接口，控制信号的传递和断开。 - 继电器替代：在需要频繁开关的场合，可以用 FQU17P06TU 替代机械继电器，提高可靠性和寿命。 7. 汽车电子 - 车载电子设备：如车窗升降器、座椅调节器、雨刷控制系统等，FQU17P06TU 可作为功率开关。 - LED 照明：用于汽车 LED 灯的驱动和调光控制。 FQU17P06TU 的低导通电阻、小封装尺寸以及出色的电气性能，使其成为多种低功率和中功率应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 12A IPAKMOSFET -60V Single |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 12 A |
| Id-连续漏极电流 | - 12 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQU17P06TUQFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQU17P06TU |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 135 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 135 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| 上升时间 | 100 ns |
| 下降时间 | 60 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 900pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 27nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 135 毫欧 @ 6A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 典型关闭延迟时间 | 22 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 343.080 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 封装/箱体 | IPAK-3 |
| 工厂包装数量 | 70 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 70 |
| 正向跨导-最小值 | 8.7 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Tc） |
| 系列 | FQU17P06 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FQU17P06TU_NL |
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