ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > FQT4N20LTF
/FQT4N20LTF.jpg)
Datasheet下载- 型号： FQT4N20LTF
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQT4N20LTF由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQT4N20LTF价格参考。Fairchild SemiconductorFQT4N20LTF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 200V 850mA（Tc） 2.2W（Tc） SOT-223-4。您可以下载FQT4N20LTF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQT4N20LTF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQT4N20LTF 是一款由 ON Semiconductor 生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面： 1. 电源管理 FQT4N20LTF 适用于各种电源管理电路，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和线性稳压器。由于其低导通电阻（Rds(on)）特性，能够有效减少功率损耗，提高转换效率。在这些应用中，MOSFET 作为开关元件，通过快速切换导通和截止状态来调节输出电压或电流。 2. 电机驱动 该器件常用于小型电机驱动电路，如步进电机、直流电机和无刷直流电机（BLDC）。MOSFET 的低导通电阻有助于降低发热，延长设备寿命。此外，其快速开关速度可以实现更精确的电机控制，减少电磁干扰（EMI）。 3. 电池管理系统 FQT4N20LTF 可用于电池保护电路，特别是在锂电池和磷酸铁锂电池的充放电管理中。它可以通过控制充电电流和防止过放电来保护电池安全。MOSFET 的低功耗特性使其适合长时间工作的电池管理系统。 4. 信号切换 在信号切换电路中，FQT4N20LTF 可以用作模拟开关或数字开关。例如，在音频设备、传感器接口和通信设备中，它可以快速切换不同的信号路径，确保信号传输的稳定性和可靠性。 5. 负载开关 该器件适用于负载开关应用，如移动设备、笔记本电脑和其他便携式电子产品的电源管理模块。MOSFET 可以迅速响应负载变化，确保设备在不同工作模式下的稳定供电。 6. 逆变器和变频器 FQT4N20LTF 还可用于逆变器和变频器电路，特别是在太阳能逆变器和工业自动化设备中。它能够承受较高的电压和电流波动，确保系统的稳定运行。 总之，FQT4N20LTF 凭借其出色的电气性能和可靠性，广泛应用于各类电力电子设备中，特别适合需要高效、低功耗和快速响应的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 0.85A SOT-223MOSFET 200V Single |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 850 mA |
| Id-连续漏极电流 | 850 mA |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQT4N20LTFQFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQT4N20LTF |
| Pd-PowerDissipation | 2.2 W |
| Pd-功率耗散 | 2.2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.35 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.35 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 70 ns |
| 下降时间 | 40 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 310pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.2nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.35 欧姆 @ 425mA，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-223-4 |
| 其它名称 | FQT4N20LTFCT |
| 典型关闭延迟时间 | 15 ns |
| 功率-最大值 | 2.2W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 188 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 1.42 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 850mA （Tc） |
| 系列 | FQT4N20 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
