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FQT1N80TF_WS产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQT1N80TF_WS由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供FQT1N80TF_WS价格参考以及Fairchild SemiconductorFQT1N80TF_WS封装/规格参数等产品信息。 你可以下载FQT1N80TF_WS参考资料、Datasheet数据手册功能说明书, 资料中有FQT1N80TF_WS详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 800V 0.2A SOT-223MOSFET 800V 0.2A 20Ohm N-Channel |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-连续漏极电流 | 200 mA |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQT1N80TF_WSQFET® |
数据手册 | |
产品型号 | FQT1N80TF_WS |
Pd-PowerDissipation | 2.1 W |
Pd-功率耗散 | 2.1 W |
RdsOn-漏源导通电阻 | 20 Ohms |
Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 25 ns |
下降时间 | 25 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 195pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.2nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 20 欧姆 @ 100mA,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SOT-223-3 |
其它名称 | FQT1N80TF_WSDKR |
典型关闭延迟时间 | 15 ns |
功率-最大值 | 2.1W |
包装 | Digi-Reel® |
单位重量 | 188 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 20 Ohms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
封装/箱体 | SOT-223-3 |
工厂包装数量 | 4000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
汲极/源极击穿电压 | 800 V |
漏极连续电流 | 200 mA |
漏源极电压(Vdss) | 800V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 200mA (Tc) |
系列 | FQT1N80TF_WS |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |