【FQT1N60CTF_WS/规格参数】厂家_FQT1N60CTF_WS中文资料_价格

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型号： FQT1N60CTF_WS
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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FQT1N60CTF_WS产品简介：

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产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 600V 200MA SOT-223-4MOSFET 600V 0.2A 11.5Ohm N-Channel
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	200 mA
Id-连续漏极电流	200 mA
品牌	Fairchild Semiconductor
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产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQT1N60CTF_WSQFET®
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产品型号	FQT1N60CTF_WS
Pd-PowerDissipation	2.1 W
Pd-功率耗散	2.1 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	11.5 Ohms
RdsOn-漏源导通电阻	11.5 Ohms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	600 V
Vds-漏源极击穿电压	600 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 30 V
Vgs-栅源极击穿电压	30 V
上升时间	21 ns
下降时间	27 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	170pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	6.2nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	11.5 欧姆 @ 100mA，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	SOT-223-3
其它名称	FQT1N60CTF_WSCT
典型关闭延迟时间	13 ns
功率-最大值	2.1W
包装	剪切带（CT）
单位重量	188 mg
商标	Fairchild Semiconductor
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	TO-261-4，TO-261AA
封装/箱体	SOT-223-3
工厂包装数量	4000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
漏源极电压(Vdss)	600V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	200mA （Tc）
系列	FQT13N06TF
通道模式	Enhancement
配置	Single