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  • 型号: FQT13N06LTF
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQT13N06LTF由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQT13N06LTF价格参考。Fairchild SemiconductorFQT13N06LTF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQT13N06LTF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQT13N06LTF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223MOSFET 60V Single

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

2.8 A

Id-连续漏极电流

2.8 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQT13N06LTFQFET®

数据手册

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产品型号

FQT13N06LTF

Pd-PowerDissipation

2.1 W

Pd-功率耗散

2.1 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

110 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

110 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

90 ns

下降时间

40 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

350pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

6.4nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

110 毫欧 @ 1.4A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SOT-223-4

其它名称

FQT13N06LTFCT

典型关闭延迟时间

20 ns

功率-最大值

2.1W

包装

剪切带 (CT)

单位重量

188 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-261-4,TO-261AA

封装/箱体

SOT-223-3

工厂包装数量

4000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

4.1 S

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2.8A (Tc)

系列

FQT13N06

通道模式

Enhancement

配置

Single

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