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产品简介:
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FQPF8N60CYDTU 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。该型号具有 600V 的高击穿电压和低导通电阻的特点,适用于多种高压应用场景。以下是其主要的应用场景: 1. 开关电源(SMPS) FQPF8N60CYDTU 的高耐压特性使其非常适合用于开关电源中的功率开关器件,例如 AC-DC 转换器、DC-DC 转换器等。它能够承受高电压输入,并提供高效的功率转换。 2. 电机驱动 该 MOSFET 可用于工业控制和家用电器中的电机驱动电路,例如风扇、泵、压缩机等。其低导通电阻有助于减少功率损耗,提高效率。 3. 逆变器 在太阳能逆变器或 UPS(不间断电源)系统中,FQPF8N60CYDTU 可作为功率开关元件,实现直流到交流的高效转换。 4. 负载开关 由于其高耐压能力,该器件可应用于需要切换高电压负载的场景,例如汽车电子、工业设备等。 5. 保护电路 在过流保护、短路保护等电路中,FQPF8N60CYDTU 可用作开关元件,快速切断异常电流以保护后级电路。 6. 电动工具 在电动工具中,该 MOSFET 可用于电池管理、电机驱动和功率调节等功能模块,确保工具在高电压条件下的稳定运行。 7. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV) FQPF8N60CYDTU 可应用于车载充电器、DC-DC 转换器以及辅助系统的功率控制模块。 总结来说,FQPF8N60CYDTU 凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于电力电子领域的高压、高效功率转换和控制场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220F |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FQPF8N60CYDTU |
PCN设计/规格 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | QFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1255pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 36nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.2 欧姆 @ 3.75A,10V |
供应商器件封装 | TO-220F |
功率-最大值 | 48W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 7.5A (Tc) |