【未分类_FQPF8N60CT】封装/厂家_FQPF8N60CT中文资料_价格

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型号： FQPF8N60CT
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF8N60CT由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF8N60CT价格参考。Fairchild SemiconductorFQPF8N60CT封装/规格：未分类，暂无。您可以下载FQPF8N60CT参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQPF8N60CT 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQPF8N60CT 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。其主要应用场景包括但不限于以下方面：

 1. 开关电源 (SMPS)
   - FQPF8N60CT 的高电压耐受能力（600V）使其非常适合用于开关电源中的高压开关应用。例如，在 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器或充电器中作为主开关管使用。
   - 它可以实现高效的能量转换，适用于笔记本电脑适配器、电视电源等设备。

 2. 电机驱动与控制
   - 在工业自动化领域，该 MOSFET 可用于驱动直流电机、步进电机或伺服电机。它的低导通电阻（典型值为 0.35Ω）能够减少功率损耗，提高效率。
   - 适合应用于家用电器（如洗衣机、吸尘器）、电动工具以及小型工业设备的电机控制。

 3. 逆变器
   - 该型号可用于光伏逆变器、UPS（不间断电源）或其他类型的逆变器中。在这些系统中，MOSFET 扮演着高频开关的角色，将直流电转换为交流电。
   - 其快速开关速度和较低的开关损耗有助于提升逆变器的整体性能。

 4. PFC（功率因数校正）电路
   - 在需要高功率因数的应用中，FQPF8N60CT 可用作升压开关，参与有源功率因数校正（APFC）过程，以满足严格的能源标准。
   - 常见于计算机电源、空调和其他大功率电子设备。

 5. 负载开关与保护电路
   - 由于其高耐压特性和良好的热稳定性，该器件可作为负载开关，用于保护电路免受过流、短路等故障的影响。
   - 应用于汽车电子、通信基站或工业控制系统中的电源管理部分。

 6. 电动汽车与混合动力汽车
   - 在 EV/HEV 的辅助系统中（如电池管理系统、DC-DC 转换器），FQPF8N60CT 可提供可靠的开关功能，支持高效的能量传输。

 总结
FQPF8N60CT 凭借其出色的电气特性（如高耐压、低导通电阻和快速开关速度），广泛应用于各种高电压、高效率的电力电子设备中。无论是消费类电子产品还是工业级应用，这款 MOSFET 都能提供稳定且高效的解决方案。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220F
产品分类	FET - 单
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	Fairchild Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	FQPF8N60CT
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	QFET®
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1255pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	36nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	1.2 欧姆 @ 3.75A，10V
供应商器件封装	TO-220F
功率-最大值	48W
包装	管件
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-220-3 整包
标准包装	50
漏源极电压(Vdss)	600V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	7.5A （Tc）