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FQPF7N80C产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF7N80C由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF7N80C价格参考。Fairchild SemiconductorFQPF7N80C封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 800V 6.6A(Tc) 56W(Tc) TO-220F。您可以下载FQPF7N80C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQPF7N80C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的FQPF7N80C是一款N沟道增强型MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管),其应用场景广泛,尤其适用于需要高效功率转换和开关控制的场合。以下是该型号MOSFET的一些主要应用场景: 1. 电源管理: - 开关电源(SMPS):FQPF7N80C常用于开关电源中的高频开关应用,如DC-DC转换器、AC-DC适配器等。其低导通电阻和快速开关特性有助于提高效率,减少能量损耗。 - 不间断电源(UPS):在UPS系统中,MOSFET用于逆变器电路,将直流电转换为交流电,确保在市电中断时能够持续供电。 2. 电机驱动: - 无刷直流电机(BLDC):FQPF7N80C可用于电机驱动电路,特别是在电动工具、家电(如洗衣机、空调)和工业自动化设备中。它能够承受高电压和大电流,提供稳定的驱动性能。 - 步进电机:在步进电机控制系统中,MOSFET作为开关元件,精确控制电机的相位电流,实现精准的位置控制。 3. 电池管理系统(BMS): - FQPF7N80C可用于电池保护电路,防止过充、过放和短路等问题。它能够快速响应并切断电流路径,保护电池组的安全。 4. 逆变器和变频器: - 在太阳能逆变器和工业变频器中,MOSFET用于功率级电路,实现对交流电频率和电压的调节,以适应不同负载需求。其高效的开关特性有助于提高系统的整体效率。 5. 汽车电子: - 车载充电器(OBC):在电动汽车中,MOSFET用于车载充电器,将外部交流电源转换为直流电,为车辆电池充电。 - 车身控制模块(BCM):MOSFET用于控制车灯、雨刷、门窗等设备的开关操作,提供可靠的电力传输。 6. 消费电子产品: - 在笔记本电脑、平板电脑和其他便携式设备中,FQPF7N80C用于电源管理和散热风扇控制,确保设备在高效运行的同时保持较低的功耗。 总之,FQPF7N80C凭借其优异的电气特性和可靠性,在各种电力电子应用中发挥着重要作用,特别适合需要高效、稳定和快速响应的场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 800V 6.6A TO-220FMOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 6.6 A |
Id-连续漏极电流 | 6.6 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQPF7N80CQFET® |
数据手册 | |
产品型号 | FQPF7N80C |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 56 W |
Pd-功率耗散 | 56 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.9 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 1.9 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 800 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 100 ns |
下降时间 | 60 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1680pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 35nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.9 欧姆 @ 3.3A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220F |
典型关闭延迟时间 | 50 ns |
功率-最大值 | 56W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 2.270 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
封装/箱体 | TO-220FP-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
正向跨导-最小值 | 5.5 S |
漏源极电压(Vdss) | 800V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6.6A (Tc) |
系列 | FQPF7N80C |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |