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  • 型号: FQPF7N80C
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FQPF7N80C产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF7N80C由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF7N80C价格参考。Fairchild SemiconductorFQPF7N80C封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 800V 6.6A(Tc) 56W(Tc) TO-220F。您可以下载FQPF7N80C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQPF7N80C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor的FQPF7N80C是一款N沟道增强型MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管),其应用场景广泛,尤其适用于需要高效功率转换和开关控制的场合。以下是该型号MOSFET的一些主要应用场景:

1. 电源管理:
   - 开关电源(SMPS):FQPF7N80C常用于开关电源中的高频开关应用,如DC-DC转换器、AC-DC适配器等。其低导通电阻和快速开关特性有助于提高效率,减少能量损耗。
   - 不间断电源(UPS):在UPS系统中,MOSFET用于逆变器电路,将直流电转换为交流电,确保在市电中断时能够持续供电。

2. 电机驱动:
   - 无刷直流电机(BLDC):FQPF7N80C可用于电机驱动电路,特别是在电动工具、家电(如洗衣机、空调)和工业自动化设备中。它能够承受高电压和大电流,提供稳定的驱动性能。
   - 步进电机:在步进电机控制系统中,MOSFET作为开关元件,精确控制电机的相位电流,实现精准的位置控制。

3. 电池管理系统(BMS):
   - FQPF7N80C可用于电池保护电路,防止过充、过放和短路等问题。它能够快速响应并切断电流路径,保护电池组的安全。

4. 逆变器和变频器:
   - 在太阳能逆变器和工业变频器中,MOSFET用于功率级电路,实现对交流电频率和电压的调节,以适应不同负载需求。其高效的开关特性有助于提高系统的整体效率。

5. 汽车电子:
   - 车载充电器(OBC):在电动汽车中,MOSFET用于车载充电器,将外部交流电源转换为直流电,为车辆电池充电。
   - 车身控制模块(BCM):MOSFET用于控制车灯、雨刷、门窗等设备的开关操作,提供可靠的电力传输。

6. 消费电子产品:
   - 在笔记本电脑、平板电脑和其他便携式设备中,FQPF7N80C用于电源管理和散热风扇控制,确保设备在高效运行的同时保持较低的功耗。

总之,FQPF7N80C凭借其优异的电气特性和可靠性,在各种电力电子应用中发挥着重要作用,特别适合需要高效、稳定和快速响应的场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 800V 6.6A TO-220FMOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

6.6 A

Id-连续漏极电流

6.6 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQPF7N80CQFET®

数据手册

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产品型号

FQPF7N80C

PCN设计/规格

点击此处下载产品Datasheet

Pd-PowerDissipation

56 W

Pd-功率耗散

56 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

1.9 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

1.9 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

800 V

Vds-漏源极击穿电压

800 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

100 ns

下降时间

60 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1680pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

35nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.9 欧姆 @ 3.3A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220F

典型关闭延迟时间

50 ns

功率-最大值

56W

包装

管件

单位重量

2.270 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3 整包

封装/箱体

TO-220FP-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

正向跨导-最小值

5.5 S

漏源极电压(Vdss)

800V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

6.6A (Tc)

系列

FQPF7N80C

通道模式

Enhancement

配置

Single

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