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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF6N80CT由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF6N80CT价格参考。Fairchild SemiconductorFQPF6N80CT封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQPF6N80CT参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQPF6N80CT 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQPF6N80CT 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沱沟道功率 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。该器件具有 80V 的漏源极电压 (Vds) 和低至 1.4Ω 的导通电阻 (Rds(on)),适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源 (SMPS) - FQPF6N80CT 可用于开关模式电源中的高频开关应用,例如降压、升压或反激式转换器。其低 Rds(on) 和快速开关特性能够有效减少导通损耗和开关损耗,提高电源效率。 2. 电机驱动 - 在小型直流电机或步进电机的驱动电路中,该 MOSFET 可作为开关元件,控制电机的启动、停止和速度调节。其低导通电阻有助于降低功耗并提升系统性能。 3. 负载切换 - 该器件适合用于负载切换电路,例如电池供电设备中的电源管理模块。它可以通过快速开启和关闭来控制电流流向,确保系统安全运行。 4. 逆变器 - 在小型逆变器应用中,FQPF6N80CT 可用于将直流电转换为交流电,适用于太阳能微逆变器或其他便携式逆变器设备。 5. LED 驱动 - 在高亮度 LED 照明系统中,该 MOSFET 可用于恒流驱动电路,提供高效且稳定的电流输出,以保证 LED 的亮度和寿命。 6. 保护电路 - FQPF6N80CT 可用于过流保护、短路保护等电路设计中,通过快速响应异常电流状况,保护后端负载和电路免受损坏。 7. 汽车电子 - 在汽车电子领域,该器件可用于车身控制模块 (BCM)、电动车窗、雨刷控制系统等场景,支持高可靠性要求的车载应用。 总结 FQPF6N80CT 的高性能和可靠性使其成为工业、消费电子和汽车领域的理想选择。其典型应用场景包括但不限于开关电源、电机驱动、负载切换、逆变器、LED 驱动和保护电路等。在设计时,需根据具体需求选择合适的驱动电路和散热方案,以充分发挥其性能优势。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 800V 5.5A TO-220FMOSFET 800V N-Ch Adv Q-FET C-Series |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 5.5 A |
Id-连续漏极电流 | 5.5 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQPF6N80CTQFET® |
数据手册 | |
产品型号 | FQPF6N80CT |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 51 W |
Pd-功率耗散 | 51 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.5 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 2.5 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 800 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 65 ns |
下降时间 | 44 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1310pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.5 欧姆 @ 2.75A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220F |
典型关闭延迟时间 | 47 ns |
功率-最大值 | 51W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 2.270 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
封装/箱体 | TO-220FP-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
正向跨导-最小值 | 5.4 S |
漏源极电压(Vdss) | 800V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.5A (Tc) |
系列 | FQPF6N80C |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |