ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > FQPF6N60C
Datasheet下载- 型号： FQPF6N60C
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF6N60C由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF6N60C价格参考￥3.95-￥3.95。Fairchild SemiconductorFQPF6N60C封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 600V 5.5A（Tc） 40W（Tc） TO-220F。您可以下载FQPF6N60C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQPF6N60C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQPF6N60C 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。它属于功率 MOSFET 类别，具有 600V 的击穿电压和较低的导通电阻，适用于多种高电压、大电流的应用场景。 主要应用场景： 1. 电源管理： - FQPF6N60C 广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器等电源管理系统中。其高耐压特性使其能够在高压环境下稳定工作，适合用于工业电源、通信电源以及服务器电源等领域。 2. 电机驱动： - 在电机驱动应用中，FQPF6N60C 可以作为开关元件控制电机的启停和转速。由于其低导通电阻，能够减少功率损耗，提高效率，适用于电动工具、家用电器（如洗衣机、空调等）中的电机控制。 3. 逆变器与太阳能系统： - 该器件在光伏逆变器和太阳能发电系统中也有广泛应用。它可以用于将直流电转换为交流电，帮助提高系统的能量转换效率，并且能够在高温环境下保持稳定的性能。 4. 电动汽车（EV）与混合动力汽车（HEV）： - 在电动汽车和混合动力汽车的电力电子系统中，FQPF6N60C 可以用于电池管理系统（BMS）、DC-DC 转换器以及电机控制器等关键部件。其高可靠性和耐用性确保了车辆在复杂工况下的安全运行。 5. 工业自动化： - 在工业自动化设备中，如可编程逻辑控制器（PLC）、伺服驱动器等，FQPF6N60C 可以用作开关元件或保护电路的一部分，确保系统的稳定性和可靠性。 总之，FQPF6N60C 凭借其出色的电气性能和可靠性，适用于各种需要高效、稳定电力传输和控制的场合，特别是在高电压、大电流的应用环境中表现尤为突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220F |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQPF6N60C |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 810pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2 欧姆 @ 2.75A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 功率-最大值 | 40W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.5A （Tc） |
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