ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > FQPF13N50CT
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- 型号： FQPF13N50CT
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF13N50CT由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF13N50CT价格参考。Fairchild SemiconductorFQPF13N50CT封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 500V 13A（Tc） 48W（Tc） TO-220F。您可以下载FQPF13N50CT参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQPF13N50CT 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQPF13N50CT是由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的单个MOSFET晶体管，具体为N沟道增强型金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）。该型号具有50V的漏源极击穿电压（VDS），适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 FQPF13N50CT广泛应用于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、反激式变换器等电源管理系统中。其低导通电阻和快速开关特性使其能够高效地控制电流流动，减少能量损耗，提高系统的整体效率。 2. 电机驱动 在小型电机驱动应用中，FQPF13N50CT可以用于控制电机的启动、停止和调速。它可以通过PWM（脉宽调制）信号来调节电机的转速，适用于电动工具、家用电器、自动化设备等场合。 3. 电池管理系统 在电池管理系统（BMS）中，FQPF13N50CT可用于电池充放电保护电路，防止过充、过放和短路等问题。其低导通电阻有助于减少发热，延长电池寿命。 4. 负载切换 该器件适用于负载切换应用，例如汽车电子中的继电器替代方案。通过MOSFET的快速响应特性，可以实现更可靠的负载切换，同时减少机械继电器的磨损和噪音。 5. 通信设备 在通信设备中，FQPF13N50CT可用于电源管理和信号处理电路。其低噪声特性和高可靠性使其适合于基站、路由器等设备中的电源模块。 6. 消费电子产品 在消费电子产品如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等中，FQPF13N50CT可用于充电接口的保护电路，防止过流和静电损坏，确保设备的安全运行。 总结 FQPF13N50CT凭借其出色的电气性能和可靠性，广泛应用于电源管理、电机驱动、电池管理、负载切换、通信设备及消费电子产品等多个领域。其低导通电阻、快速开关速度和高耐压特性，使得它成为许多电力电子设计中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 13A TO-220F |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQPF13N50CT |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2055pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 56nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 480 毫欧 @ 6.5A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 功率-最大值 | 48W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 13A （Tc） |
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