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Datasheet下载- 型号： FQPF13N50CF
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF13N50CF由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF13N50CF价格参考。Fairchild SemiconductorFQPF13N50CF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 500V 13A（Tc） 48W（Tc） TO-220F。您可以下载FQPF13N50CF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQPF13N50CF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的FQPF13N50CF是一款N沟道MOSFET晶体管，其主要应用场景包括但不限于以下几个方面： 1. 电源管理与转换 FQPF13N50CF广泛应用于开关电源（SMPS）和直流-直流（DC-DC）转换器中。它能够高效地控制电流的通断，实现电压转换和稳压功能。由于其低导通电阻（Rds(on)），在高频开关应用中可以减少功率损耗，提高效率。 2. 电机驱动 在电机控制系统中，FQPF13N50CF可以用作开关元件，用于控制电机的启动、停止和速度调节。它适用于步进电机、无刷直流电机（BLDC）等场合，尤其是在需要高精度控制的应用中表现优异。 3. 逆变器与太阳能系统 FQPF13N50CF可用于光伏逆变器中，将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电，供家庭或电网使用。其耐高压特性（500V击穿电压）使其能够在高电压环境下稳定工作，确保系统的可靠性和安全性。 4. 工业自动化 在工业自动化设备中，如PLC（可编程逻辑控制器）、伺服驱动器等，FQPF13N50CF可以用作信号隔离和功率放大元件。它能够承受较高的电压和电流波动，适合在恶劣的工业环境中使用。 5. 汽车电子 FQPF13N50CF符合AEC-Q101标准，适用于汽车电子领域，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）、车身控制系统等。其高可靠性和耐高温性能使得它能够在汽车的复杂电气环境中稳定工作。 6. 家电产品 在家用电器中，如空调、冰箱、洗衣机等，FQPF13N50CF可以用作压缩机、风扇等部件的驱动控制元件。它的高效能和长寿命有助于提升家电产品的整体性能和用户体验。 总的来说，FQPF13N50CF凭借其出色的电气特性、高可靠性和广泛的适用性，成为多种电力电子应用中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 13A TO-220FMOSFET HIGH VOLTAGE |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 13 A |
| Id-连续漏极电流 | 13 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQPF13N50CFFRFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQPF13N50CF |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 48 W |
| Pd-功率耗散 | 48 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 540 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 540 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 100 ns |
| 下降时间 | 100 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2055pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 56nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 540 毫欧 @ 6.5A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 典型关闭延迟时间 | 130 ns |
| 功率-最大值 | 48W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 2.270 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 540 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 15 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 500 V |
| 漏极连续电流 | 13 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 13A （Tc） |
| 系列 | FQPF13N50 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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