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详细数据请看参考数据手册

型号： FQPF13N50CF
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF13N50CF由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF13N50CF价格参考。Fairchild SemiconductorFQPF13N50CF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 N 沟道 500V 13A（Tc） 48W（Tc） TO-220F。您可以下载FQPF13N50CF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQPF13N50CF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQPF13N50CF 是一款 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），其主要参数为：最大漏源电压 (VDS) 为 500V，最大连续漏极电流 (ID) 为 13A，导通电阻 (RDS(on)) 较低。该器件适用于需要高电压、中等电流的应用场景，特别是在开关电源、电机驱动、逆变器和电力电子设备中。

 应用场景：

1. 开关电源（SMPS）：
   FQPF13N50CF 可用于开关电源中的功率级开关。其高耐压特性使其能够在高压输入条件下稳定工作，适用于 AC-DC 转换器、DC-DC 转换器等。在这些应用中，MOSFET 的快速开关特性和低导通电阻有助于提高效率，减少能量损耗。

2. 电机驱动：
   在无刷直流电机（BLDC）、步进电机和其他类型的电机驱动电路中，FQPF13N50CF 可以作为功率开关，控制电机的启动、停止和调速。其高耐压和大电流能力使其能够承受电机启动时的瞬态电流冲击，同时保持较低的功耗。

3. 逆变器：
   逆变器是将直流电转换为交流电的设备，广泛应用于太阳能发电系统、不间断电源（UPS）等领域。FQPF13N50CF 可以作为逆变器中的功率开关，实现高效的 DC-AC 转换。其高耐压特性使其能够在高压直流输入下可靠工作，确保系统的稳定性和安全性。

4. 电池管理系统（BMS）：
   在电动汽车、储能系统等应用中，电池管理系统需要对电池进行充放电控制。FQPF13N50CF 可以用作电池组的主开关或保护开关，防止过流、短路等情况的发生。其高耐压和低导通电阻特性有助于提高系统的安全性和效率。

5. 工业自动化：
   在工业控制系统中，FQPF13N50CF 可用于驱动各种负载，如电磁阀、继电器等。其高耐压和大电流能力使其能够承受工业环境中的恶劣条件，确保系统的可靠运行。

总之，FQPF13N50CF 凭借其高耐压、中等电流和低导通电阻的特点，广泛应用于电力电子领域，特别是在需要高效、可靠功率控制的场合。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 500V 13A TO-220FMOSFET HIGH VOLTAGE
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	13 A
Id-连续漏极电流	13 A
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQPF13N50CFFRFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	FQPF13N50CF
PCN封装	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	48 W
Pd-功率耗散	48 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	540 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	540 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	500 V
Vds-漏源极击穿电压	500 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 30 V
Vgs-栅源极击穿电压	30 V
上升时间	100 ns
下降时间	100 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	2055pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	56nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	540 毫欧 @ 6.5A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-220F
典型关闭延迟时间	130 ns
功率-最大值	48W
包装	管件
单位重量	2.270 g
商标	Fairchild Semiconductor
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
导通电阻	540 mOhms
封装	Tube
封装/外壳	TO-220-3 整包
封装/箱体	TO-220FP-3
工厂包装数量	50
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	50
正向跨导-最小值	15 S
汲极/源极击穿电压	500 V
漏极连续电流	13 A
漏源极电压(Vdss)	500V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	13A （Tc）
系列	FQPF13N50
通道模式	Enhancement
配置	Single