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Datasheet下载- 型号： FQPF13N50C
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF13N50C由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF13N50C价格参考。Fairchild SemiconductorFQPF13N50C封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 500V 13A（Tc） 48W（Tc） TO-220F。您可以下载FQPF13N50C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQPF13N50C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的FQPF13N50C是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），广泛应用于多种电力电子设备中。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面： 1. 开关电源 FQPF13N50C适用于各种开关电源（SMPS）设计，如反激式、正激式、升压和降压转换器等。它具有较低的导通电阻（Rds(on)），能够有效降低功率损耗，提高电源效率。同时，该器件的高击穿电压（V(BR)DSS = 500V）使其能够在高压环境中稳定工作，适合用于工业电源、通信电源等领域。 2. 电机驱动 在电机驱动应用中，FQPF13N50C可以作为功率级开关元件，用于控制电机的启动、停止和调速。它能够承受较大的电流冲击，并且具备较快的开关速度，有助于减少电机运行时的能耗和发热。此外，其低栅极电荷（Qg）特性使得驱动电路设计更加简单高效。 3. 逆变器 FQPF13N50C常用于光伏逆变器、不间断电源（UPS）等设备中。这些应用通常需要将直流电转换为交流电，MOSFET在这种场合下充当高频开关的角色。由于其出色的开关性能和耐压能力，FQPF13N50C能够确保逆变器在不同负载条件下稳定运行。 4. 电池管理系统 在电动汽车、储能系统等电池管理应用中，FQPF13N50C可用于电池充放电控制、过流保护等功能。它能够快速响应电流变化，防止电池过充或过放，从而延长电池寿命并提高系统的安全性。 5. 电磁兼容性（EMC）滤波器 在一些对电磁干扰敏感的应用中，如医疗设备、精密仪器等，FQPF13N50C可以用于构建EMC滤波器中的开关元件。通过精确控制开关频率和占空比，它可以有效抑制电磁干扰，确保系统的正常工作。 综上所述，FQPF13N50C凭借其优异的电气特性和可靠性，在众多电力电子领域中发挥着重要作用，成为工程师们设计高性能电路的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 13A TO-220F |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQPF13N50C |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2055pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 56nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 480 毫欧 @ 6.5A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 功率-最大值 | 48W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 13A （Tc） |
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