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型号： FQPF12N60CT
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF12N60CT由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF12N60CT价格参考。Fairchild SemiconductorFQPF12N60CT封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 N 沟道 600V 12A（Tc） 51W（Tc） TO-220F。您可以下载FQPF12N60CT参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQPF12N60CT 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQPF12N60CT是由ON Semiconductor（现为安森美半导体）生产的MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），具体属于单通道的N沟道增强型MOSFET。这种器件具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性，适用于多种电力电子应用场合。

应用场景：

1. 电源管理：
   FQPF12N60CT常用于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器等电路中，作为主开关或同步整流元件。其600V的额定击穿电压使其适合高压输入环境，如汽车电池供电系统、工业电源等。

2. 电机驱动：
   该MOSFET可用于无刷直流电机（BLDC）控制器、步进电机驱动器等场合，提供高效的功率传输与控制。其较低的Rds(on)（导通电阻）有助于减少发热，提高效率。

3. 逆变器和变频器：
   在太阳能逆变器、UPS不间断电源以及家用电器中的变频控制系统里，FQPF12N60CT能够实现精确的电流控制和高效的能量转换，支持可再生能源接入电网或家庭用电设备。

4. 电动汽车和混合动力车辆：
   随着新能源汽车的发展，这类高性能MOSFET也被广泛应用于车载充电器、牵引逆变器等关键部件，确保稳定可靠的工作性能并延长续航里程。

5. 消费电子产品：
   包括笔记本电脑适配器、智能手机快充模块在内的许多便携式设备也会采用此类MOSFET来优化充电速度和能效比。

总之，FQPF12N60CT凭借其优异的电气参数，在需要高效、紧凑且可靠的功率处理方案的各种领域都有广泛的应用前景。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 600V 12A TO-220F
产品分类	FET - 单
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	Fairchild Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	FQPF12N60CT
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	QFET®
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	2290pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	63nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	650 毫欧 @ 6A，10V
供应商器件封装	TO-220F
功率-最大值	51W
包装	管件
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-220-3 整包
标准包装	50
漏源极电压(Vdss)	600V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	12A （Tc）