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Datasheet下载- 型号： FQPF11P06
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF11P06由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF11P06价格参考￥2.75-￥2.75。Fairchild SemiconductorFQPF11P06封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 P 沟道 60V 8.6A（Tc） 30W（Tc） TO-220F。您可以下载FQPF11P06参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQPF11P06 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQPF11P06 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道功率 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该型号具有以下主要参数：Vds（漏源电压）为 60V，Id（连续漏极电流）为 11A，Rds(on)（导通电阻）典型值为 15mΩ。基于这些特性，FQPF11P06 可广泛应用于多种场景，包括但不限于以下几个方面： 1. 开关电源 (SMPS) - FQPF11P06 的低导通电阻和高电流能力使其非常适合用作开关电源中的主开关或同步整流器。 - 应用于 DC-DC 转换器、降压/升压转换器等电路中，提供高效的功率转换。 2. 电机驱动 - 适用于小型直流电机或步进电机的驱动控制。 - 在 H 桥或半桥驱动电路中作为功率开关，实现电机的正转、反转和调速功能。 3. 负载切换 - 用于负载切换电路中，例如电池供电设备中的负载通断控制。 - 其低导通电阻有助于减少功耗，延长电池寿命。 4. 保护电路 - 在过流保护、短路保护等电路中充当关键开关元件。 - 利用其快速开关特性和低损耗特性，确保系统的稳定性和安全性。 5. 汽车电子 - 在汽车电子系统中，如电动车窗、雨刷电机、风扇控制等应用中担任功率开关角色。 - 符合汽车级应用对可靠性和效率的要求。 6. 消费类电子产品 - 应用于笔记本电脑适配器、手机充电器、LED 驱动器等消费类电子产品的功率管理模块。 - 提供高效、紧凑的解决方案，满足便携式设备的需求。 7. 工业自动化 - 在工业自动化设备中，如 PLC 输出端口、继电器替代方案等场合使用。 - 适合需要频繁开关操作的应用，提供长寿命和高可靠性。 总之，FQPF11P06 凭借其优异的电气性能和稳定性，能够胜任各种需要高效功率转换和控制的任务，特别适合对成本敏感且要求高性能的中低功率应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 8.6A TO-220FMOSFET 60V P-Channel QFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 8.6 A |
| Id-连续漏极电流 | 8.6 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQPF11P06QFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQPF11P06 |
| Pd-PowerDissipation | 30 W |
| Pd-功率耗散 | 30 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 175 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 175 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| 上升时间 | 40 ns |
| 下降时间 | 45 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 550pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 175 毫欧 @ 4.3A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 其它名称 | FQPF11P06-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 15 ns |
| 功率-最大值 | 30W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 2.270 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 4.75 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8.6A （Tc） |
| 系列 | FQPF11P06 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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