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  • 型号: FQP8N60C
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQP8N60C由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP8N60C价格参考。Fairchild SemiconductorFQP8N60C封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQP8N60C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQP8N60C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

7.5 A

Id-连续漏极电流

7.5 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQP8N60CQFET®

数据手册

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产品型号

FQP8N60C

PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

147 W

Pd-功率耗散

147 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

1.2 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

1.2 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

600 V

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

60.5 ns

下降时间

64.5 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1255pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

36nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.2 欧姆 @ 3.75A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220

典型关闭延迟时间

81 ns

功率-最大值

147W

包装

管件

单位重量

1.800 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1,000

正向跨导-最小值

8.7 S

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

7.5A (Tc)

系列

FQP8N60C

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

FQP8N60C_NL

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