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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQP8N60C由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP8N60C价格参考。Fairchild SemiconductorFQP8N60C封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQP8N60C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQP8N60C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 7.5 A |
Id-连续漏极电流 | 7.5 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQP8N60CQFET® |
数据手册 | |
产品型号 | FQP8N60C |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 147 W |
Pd-功率耗散 | 147 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.2 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 1.2 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 60.5 ns |
下降时间 | 64.5 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1255pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 36nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.2 欧姆 @ 3.75A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220 |
典型关闭延迟时间 | 81 ns |
功率-最大值 | 147W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 1.800 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1,000 |
正向跨导-最小值 | 8.7 S |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 7.5A (Tc) |
系列 | FQP8N60C |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | FQP8N60C_NL |