ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > FQP70N10
Datasheet下载- 型号： FQP70N10
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQP70N10由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP70N10价格参考。Fairchild SemiconductorFQP70N10封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 100V 57A（Tc） 160W（Tc） TO-220-3。您可以下载FQP70N10参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQP70N10 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQP70N10 是由 ON Semiconductor（现为安森美半导体）生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。这款晶体管具有低导通电阻和高开关速度的特点，广泛应用于多种电力电子设备中。 应用场景 1. 电源管理： FQP70N10 常用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池充电器等电源管理系统中。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提高转换效率。例如，在笔记本电脑适配器、手机充电器等设备中，它可以用作同步整流器或开关元件。 2. 电机驱动： 该型号适用于小型直流电机、步进电机和无刷直流电机的驱动电路。在无人机、机器人、电动工具等领域，FQP70N10 可以作为电机控制器中的关键组件，实现高效、快速的电流控制。 3. 负载切换： 在需要频繁切换负载的应用中，如汽车电子、工业控制系统等，FQP70N10 可以用作负载开关。它的低导通电阻和快速开关特性确保了在负载切换过程中最小化能量损失，并提供可靠的保护功能。 4. 过流保护： FQP70N10 还可以用于过流保护电路中，通过检测电流并迅速切断电路来防止过载损坏其他元件。这种应用场景常见于消费电子产品、家用电器等。 5. 信号放大与缓冲： 在一些模拟电路设计中，FQP70N10 可以用作信号放大器或缓冲器，特别是在需要高输入阻抗和低输出阻抗的情况下。它可以有效地隔离前后级电路，避免相互干扰。 6. LED 驱动： 对于大功率 LED 照明系统，FQP70N10 可以用作恒流源或调光控制器，确保 LED 的稳定工作并延长使用寿命。 总之，FQP70N10 凭借其优异的电气性能和可靠性，在各种电力电子应用中发挥着重要作用，尤其是在需要高效、快速响应的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 57A TO-220MOSFET 100V N-Channel QFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 57 A |
| Id-连续漏极电流 | 57 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQP70N10QFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQP70N10 |
| Pd-PowerDissipation | 160 W |
| Pd-功率耗散 | 160 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 25 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 25 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| 上升时间 | 470 ns |
| 下降时间 | 160 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 23 毫欧 @ 28.5A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 典型关闭延迟时间 | 130 ns |
| 功率-最大值 | 160W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.800 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 45 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 57A （Tc） |
| 系列 | FQP70N10 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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