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  • 型号: FQP6N40C
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FQP6N40C产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQP6N40C由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP6N40C价格参考。Fairchild SemiconductorFQP6N40C封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 400V 6A(Tc) 73W(Tc) TO-220AB。您可以下载FQP6N40C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQP6N40C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQP6N40C 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该型号具有以下关键参数:耐压值为 400V,连续漏极电流为 6A,导通电阻低至 2.8Ω(典型值),并且采用 TO-220 封装形式。基于这些特性,FQP6N40C 在以下应用场景中表现出色:

 1. 开关电源 (SMPS)
   - FQP6N40C 的高耐压和低导通电阻特性使其非常适合用作开关电源中的开关元件。它可以高效地控制电压和电流的切换,适用于离线式开关电源、DC-DC 转换器等。

 2. 电机驱动
   - 该 MOSFET 可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中。其快速开关特性和低导通电阻能够减少功率损耗,提高电机运行效率。

 3. 逆变器
   - 在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中,FQP6N40C 可作为功率开关器件,用于将直流电转换为交流电。其高耐压能力确保了在高压环境下的稳定运行。

 4. 负载开关
   - 由于其低导通电阻和良好的热性能,FQP6N40C 可用作负载开关,控制各种负载设备的通断,例如 LED 照明、家电设备等。

 5. 保护电路
   - 在过流保护、短路保护等电路中,FQP6N40C 可作为开关元件,通过快速响应切断异常电流,保护整个系统免受损害。

 6. 音频功放
   - 在 Class D 音频放大器中,FQP6N40C 可作为输出级开关元件,提供高效的音频信号放大功能,同时降低功耗和热量产生。

 7. 电池管理系统 (BMS)
   - 该 MOSFET 可用于电池组的充放电管理电路中,实现电池的过压、欠压和过流保护,确保电池的安全和寿命。

 总结
FQP6N40C 凭借其高耐压、低导通电阻和优异的热性能,在需要高效功率开关的应用中表现突出。它广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子以及可再生能源领域,是一款经济实用且可靠的功率 MOSFET。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 400V 6A TO-220MOSFET 400V N-Ch Q-FET advance C-Series

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

6 A

Id-连续漏极电流

6 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQP6N40CQFET®

数据手册

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产品型号

FQP6N40C

Pd-PowerDissipation

73 W

Pd-功率耗散

73 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

1 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

1 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

400 V

Vds-漏源极击穿电压

400 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

65 ns

下降时间

38 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

625pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

20nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1 欧姆 @ 3A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220

典型关闭延迟时间

21 ns

功率-最大值

73W

包装

管件

单位重量

1.800 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

正向跨导-最小值

4.7 S

漏源极电压(Vdss)

400V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

6A (Tc)

系列

FQP6N40

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

FQP6N40C_NL

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