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  • 型号: FQP55N10
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FQP55N10产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQP55N10由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP55N10价格参考¥11.83-¥25.92。Fairchild SemiconductorFQP55N10封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 100V 55A(Tc) 155W(Tc) TO-220AB。您可以下载FQP55N10参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQP55N10 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQP55N10是ON Semiconductor(安森美半导体)生产的单个MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管),具体为N沟道增强型功率MOSFET。该器件具有多种应用场景,尤其适用于需要高效、低损耗开关操作的电路中。

 1. 电源管理
FQP55N10广泛应用于各种电源管理电路中,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和线性稳压器等。其低导通电阻(Rds(on))特性使得它在导通状态下能够减少功率损耗,提高整体效率。此外,该MOSFET的快速开关速度也有助于降低开关损耗,特别适合高频开关应用。

 2. 电机驱动
在电机驱动应用中,FQP55N10可以用于控制直流电机或步进电机的启动、停止和调速。由于其耐压高达100V,且最大连续漏极电流可达43A(在特定条件下),因此能够承受较大的负载电流,确保电机平稳运行。同时,其低导通电阻有助于减少发热,延长器件寿命。

 3. 电池管理系统
FQP55N10也常用于电池管理系统的保护电路中,例如锂离子电池组的过流保护、短路保护和充放电控制。通过精确控制MOSFET的开关状态,可以有效防止电池过充、过放以及短路等问题,保障电池的安全性和可靠性。

 4. 逆变器与UPS系统
在逆变器和不间断电源(UPS)系统中,FQP55N10可用于实现AC-DC或DC-AC转换。其高耐压和大电流承载能力使其能够在这些系统中稳定工作,提供高效的电力转换和可靠的后备电源支持。

 5. 汽车电子
在汽车电子领域,FQP55N10可用于车载电源、电动助力转向(EPS)、车身控制系统等。其良好的抗干扰能力和宽温度范围(-55°C至+175°C)使其非常适合汽车环境下的严苛要求。

总之,FQP55N10凭借其优异的电气性能和可靠性,在多个领域有着广泛的应用前景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 100V 55A TO-220MOSFET 100V N-Channel QFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

55 A

Id-连续漏极电流

55 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQP55N10QFET®

数据手册

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产品型号

FQP55N10

Pd-PowerDissipation

155 W

Pd-功率耗散

155 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

26 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

26 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 25 V

Vgs-栅源极击穿电压

25 V

上升时间

250 ns

下降时间

140 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2730pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

98nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

26 毫欧 @ 27.5A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220

典型关闭延迟时间

110 ns

功率-最大值

155W

包装

管件

单位重量

1.800 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

正向跨导-最小值

38 S

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

55A (Tc)

系列

FQP55N10

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

FQP55N10_NL

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