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型号： FQP55N10
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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FQP55N10产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FQP55N10由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP55N10价格参考￥11.83-￥25.92。Fairchild SemiconductorFQP55N10封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 N 沟道 100V 55A（Tc） 155W（Tc） TO-220AB。您可以下载FQP55N10参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQP55N10 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 100V 55A TO-220MOSFET 100V N-Channel QFET
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	55 A
Id-连续漏极电流	55 A
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQP55N10QFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
产品型号	FQP55N10
Pd-PowerDissipation	155 W
Pd-功率耗散	155 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	26 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	26 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	100 V
Vds-漏源极击穿电压	100 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 25 V
Vgs-栅源极击穿电压	25 V
上升时间	250 ns
下降时间	140 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	2730pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	98nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	26 毫欧 @ 27.5A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-220
典型关闭延迟时间	110 ns
功率-最大值	155W
包装	管件
单位重量	1.800 g
商标	Fairchild Semiconductor
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-220-3
封装/箱体	TO-220-3
工厂包装数量	50
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	50
正向跨导-最小值	38 S
漏源极电压(Vdss)	100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	55A （Tc）
系列	FQP55N10
通道模式	Enhancement
配置	Single
零件号别名	FQP55N10_NL