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FQP55N10产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQP55N10由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP55N10价格参考¥11.83-¥25.92。Fairchild SemiconductorFQP55N10封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 100V 55A(Tc) 155W(Tc) TO-220AB。您可以下载FQP55N10参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQP55N10 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQP55N10是ON Semiconductor(安森美半导体)生产的单个MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管),具体为N沟道增强型功率MOSFET。该器件具有多种应用场景,尤其适用于需要高效、低损耗开关操作的电路中。 1. 电源管理 FQP55N10广泛应用于各种电源管理电路中,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和线性稳压器等。其低导通电阻(Rds(on))特性使得它在导通状态下能够减少功率损耗,提高整体效率。此外,该MOSFET的快速开关速度也有助于降低开关损耗,特别适合高频开关应用。 2. 电机驱动 在电机驱动应用中,FQP55N10可以用于控制直流电机或步进电机的启动、停止和调速。由于其耐压高达100V,且最大连续漏极电流可达43A(在特定条件下),因此能够承受较大的负载电流,确保电机平稳运行。同时,其低导通电阻有助于减少发热,延长器件寿命。 3. 电池管理系统 FQP55N10也常用于电池管理系统的保护电路中,例如锂离子电池组的过流保护、短路保护和充放电控制。通过精确控制MOSFET的开关状态,可以有效防止电池过充、过放以及短路等问题,保障电池的安全性和可靠性。 4. 逆变器与UPS系统 在逆变器和不间断电源(UPS)系统中,FQP55N10可用于实现AC-DC或DC-AC转换。其高耐压和大电流承载能力使其能够在这些系统中稳定工作,提供高效的电力转换和可靠的后备电源支持。 5. 汽车电子 在汽车电子领域,FQP55N10可用于车载电源、电动助力转向(EPS)、车身控制系统等。其良好的抗干扰能力和宽温度范围(-55°C至+175°C)使其非常适合汽车环境下的严苛要求。 总之,FQP55N10凭借其优异的电气性能和可靠性,在多个领域有着广泛的应用前景。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 100V 55A TO-220MOSFET 100V N-Channel QFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 55 A |
Id-连续漏极电流 | 55 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQP55N10QFET® |
数据手册 | |
产品型号 | FQP55N10 |
Pd-PowerDissipation | 155 W |
Pd-功率耗散 | 155 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 26 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 26 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
上升时间 | 250 ns |
下降时间 | 140 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2730pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 98nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 26 毫欧 @ 27.5A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220 |
典型关闭延迟时间 | 110 ns |
功率-最大值 | 155W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 1.800 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
正向跨导-最小值 | 38 S |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 55A (Tc) |
系列 | FQP55N10 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | FQP55N10_NL |