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Datasheet下载- 型号： FQP50N06L
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQP50N06L由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP50N06L价格参考。Fairchild SemiconductorFQP50N06L封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 60V 52.4A（Tc） 121W（Tc） TO-220AB。您可以下载FQP50N06L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQP50N06L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQP50N06L 是一款由 ON Semiconductor 生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于单个晶体管类别。这款器件广泛应用于各种电力电子设备中，尤其适合低电压和高电流应用。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 FQP50N06L 常用于开关电源、DC-DC 转换器等电源管理系统中。它具有较低的导通电阻（Rds(on)），能够有效减少功率损耗，提高转换效率。在这些应用中，MOSFET 作为开关元件，通过快速开关操作来调节输出电压或电流。 2. 电机驱动 该型号适用于小型电机驱动电路，如步进电机、直流电机和无刷直流电机的控制。MOSFET 在电机驱动中起到开关作用，控制电机的启动、停止和调速。由于其低导通电阻和快速开关特性，FQP50N06L 可以高效地驱动电机，并减少发热问题。 3. 电池管理系统 在电池管理系统（BMS）中，FQP50N06L 可用于电池充放电保护电路。它可以在过流、短路或过温等异常情况下迅速切断电路，保护电池不受损坏。此外，MOSFET 还可以用于均衡电池单元电压，确保电池组的安全性和寿命。 4. 消费电子产品 FQP50N06L 广泛应用于各种消费电子产品中，如智能手机充电器、平板电脑、笔记本电脑适配器等。它能够提供稳定的电流输出，同时保持较低的功耗，延长设备的续航时间。 5. 工业自动化 在工业自动化领域，FQP50N06L 可用于控制电磁阀、继电器和其他执行机构。它能够承受较高的电流冲击，并且具备良好的热稳定性，适合长时间连续工作。 6. 汽车电子 该型号也常见于汽车电子系统中，如车窗升降器、座椅调节器、雨刮器等。MOSFET 在这些应用中作为开关元件，控制电动机或其他负载的工作状态，确保车辆电气系统的正常运行。 总之，FQP50N06L 凭借其优异的电气性能和可靠性，在多个领域中发挥着重要作用，特别是在需要高效、低损耗的开关控制场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 52.4A TO-220MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 52 A |
| Id-连续漏极电流 | 52 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQP50N06LQFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQP50N06L |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 121 W |
| Pd-功率耗散 | 121 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 21 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 21 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 380 ns |
| 下降时间 | 145 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1630pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 32nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 21 毫欧 @ 26.2A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 典型关闭延迟时间 | 80 ns |
| 功率-最大值 | 121W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.800 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 40 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 52.4A （Tc） |
| 系列 | FQP50N06 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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