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  • 型号: FQP50N06L
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQP50N06L由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP50N06L价格参考。Fairchild SemiconductorFQP50N06L封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 60V 52.4A(Tc) 121W(Tc) TO-220AB。您可以下载FQP50N06L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQP50N06L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 60V 52.4A TO-220MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

52 A

Id-连续漏极电流

52 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQP50N06LQFET®

数据手册

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产品型号

FQP50N06L

PCN封装

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Pd-PowerDissipation

121 W

Pd-功率耗散

121 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

21 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

21 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

380 ns

下降时间

145 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1630pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

32nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

21 毫欧 @ 26.2A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220

典型关闭延迟时间

80 ns

功率-最大值

121W

包装

管件

单位重量

1.800 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

正向跨导-最小值

40 S

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

52.4A (Tc)

系列

FQP50N06

通道模式

Enhancement

配置

Single

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