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  • 型号: FQP4N50
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQP4N50由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP4N50价格参考。Fairchild SemiconductorFQP4N50封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 500V 3.4A(Tc) 70W(Tc) TO-220-3。您可以下载FQP4N50参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQP4N50 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQP4N50 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该型号属于晶体管 - FET,MOSFET - 单类别,具有以下关键特性:耐压高达 500V,持续漏极电流为 4.4A(在 25°C 下),并且具有较低的导通电阻。以下是其典型应用场景:

 1. 开关电源 (SMPS)
   FQP4N50 的高耐压特性使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用。它能够承受较高的电压波动,同时提供高效的开关性能,适用于 AC-DC 或 DC-DC 转换器。

 2. 电机驱动
   由于其良好的电流承载能力和低导通电阻,FQP4N50 可用于驱动小型直流电机或步进电机。它可以作为电机控制电路中的开关元件,实现正转、反转或调速功能。

 3. 逆变器
   在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中,FQP4N50 可以用作功率级开关器件,将直流电转换为交流电。其高耐压和快速开关能力非常适合此类应用。

 4. 负载切换
   FQP4N50 可用于需要高电压负载切换的场景,例如汽车电子系统或工业设备中的负载保护电路。它能够在高电压环境下可靠地开启或关闭负载。

 5. 电磁阀和继电器驱动
   该 MOSFET 可以驱动电磁阀或继电器等感性负载。其高耐压特性可以有效应对感性负载关断时产生的反向电动势(电压尖峰)。

 6. 高压脉冲发生器
   FQP4N50 的高耐压能力使其适合用于高压脉冲发生器电路中,例如用于测试设备或医疗设备中的脉冲信号生成。

 7. LED 驱动
   在需要高电压 LED 驱动的应用中,FQP4N50 可以作为开关元件,用于调节 LED 的亮度或实现恒流控制。

 8. 家电和工业控制
   FQP4N50 可广泛应用于家用电器(如洗衣机、空调)和工业控制设备中,作为功率开关或信号放大元件。

 总结
FQP4N50 凭借其高耐压、适中的电流能力和良好的开关性能,适用于多种高压、中等功率的电子应用领域。在选择具体应用场景时,需根据实际电路需求考虑散热设计和驱动条件,以确保其稳定运行。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 500V 3.4A TO-220

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Fairchild Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

FQP4N50

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

QFET®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

460pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

13nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

2.7 欧姆 @ 1.7A,10V

供应商器件封装

TO-220

功率-最大值

70W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-220-3

标准包装

1,000

漏源极电压(Vdss)

500V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

3.4A (Tc)

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