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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQP4N50由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP4N50价格参考。Fairchild SemiconductorFQP4N50封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 500V 3.4A(Tc) 70W(Tc) TO-220-3。您可以下载FQP4N50参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQP4N50 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQP4N50 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该型号属于晶体管 - FET,MOSFET - 单类别,具有以下关键特性:耐压高达 500V,持续漏极电流为 4.4A(在 25°C 下),并且具有较低的导通电阻。以下是其典型应用场景: 1. 开关电源 (SMPS) FQP4N50 的高耐压特性使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用。它能够承受较高的电压波动,同时提供高效的开关性能,适用于 AC-DC 或 DC-DC 转换器。 2. 电机驱动 由于其良好的电流承载能力和低导通电阻,FQP4N50 可用于驱动小型直流电机或步进电机。它可以作为电机控制电路中的开关元件,实现正转、反转或调速功能。 3. 逆变器 在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中,FQP4N50 可以用作功率级开关器件,将直流电转换为交流电。其高耐压和快速开关能力非常适合此类应用。 4. 负载切换 FQP4N50 可用于需要高电压负载切换的场景,例如汽车电子系统或工业设备中的负载保护电路。它能够在高电压环境下可靠地开启或关闭负载。 5. 电磁阀和继电器驱动 该 MOSFET 可以驱动电磁阀或继电器等感性负载。其高耐压特性可以有效应对感性负载关断时产生的反向电动势(电压尖峰)。 6. 高压脉冲发生器 FQP4N50 的高耐压能力使其适合用于高压脉冲发生器电路中,例如用于测试设备或医疗设备中的脉冲信号生成。 7. LED 驱动 在需要高电压 LED 驱动的应用中,FQP4N50 可以作为开关元件,用于调节 LED 的亮度或实现恒流控制。 8. 家电和工业控制 FQP4N50 可广泛应用于家用电器(如洗衣机、空调)和工业控制设备中,作为功率开关或信号放大元件。 总结 FQP4N50 凭借其高耐压、适中的电流能力和良好的开关性能,适用于多种高压、中等功率的电子应用领域。在选择具体应用场景时,需根据实际电路需求考虑散热设计和驱动条件,以确保其稳定运行。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 500V 3.4A TO-220 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FQP4N50 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | QFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 460pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.7 欧姆 @ 1.7A,10V |
供应商器件封装 | TO-220 |
功率-最大值 | 70W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
标准包装 | 1,000 |
漏源极电压(Vdss) | 500V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.4A (Tc) |