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Datasheet下载- 型号： FQP4N20L
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQP4N20L由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP4N20L价格参考。Fairchild SemiconductorFQP4N20L封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 200V 3.8A（Tc） 45W（Tc） TO-220AB。您可以下载FQP4N20L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQP4N20L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQP4N20L 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET/MOSFET - 单一类别。其主要应用场景包括但不限于以下方面： 1. 开关电源 (SMPS) - FQP4N20L 的耐压值高达 200V，适用于开关电源中的高频开关应用。它能够高效地控制电压和电流的通断，广泛用于 DC-DC 转换器、AC-DC 转换器以及反激式转换器等电路中。 2. 电机驱动 - 在小型电机驱动电路中，FQP4N20L 可用作功率开关，控制电机的启动、停止和速度调节。其低导通电阻（Rds(on) 典型值为 0.35Ω）有助于减少功耗并提高效率。 3. 负载开关 - 该 MOSFET 可用于各种负载开关应用，例如汽车电子、家用电器和工业设备中，实现对负载的快速响应和精确控制。 4. 逆变器 - 在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中，FQP4N20L 可作为功率级开关器件，将直流电转换为交流电，支持高效的能量转换。 5. 保护电路 - 它可以用于过流保护、短路保护和过温保护电路中，通过快速关断功能防止系统损坏。 6. 音频放大器 - 在一些音频放大器设计中，FQP4N20L 可用作输出级开关，提供高效率和低失真的性能。 7. 电池管理系统 (BMS) - 在电池管理中，FQP4N20L 可用于控制电池充放电回路的通断，确保电池的安全运行和延长使用寿命。 特性总结： - 高耐压：200V 额定电压使其适合高压环境。 - 低导通电阻：降低功耗，提升效率。 - 快速开关能力：支持高频应用。 - 紧凑封装：如 TO-220 或 DPAK 封装，便于集成到各种电路中。 总之，FQP4N20L 是一款通用性强、性能可靠的 N 沟道 MOSFET，适用于多种需要高效功率控制的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 3.8A TO-220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQP4N20L |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 310pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.2nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.35 欧姆 @ 1.9A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 功率-最大值 | 45W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.8A （Tc） |
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