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Datasheet下载- 型号： FQP4N20
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQP4N20由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP4N20价格参考。Fairchild SemiconductorFQP4N20封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 200V 3.6A（Tc） 45W（Tc） TO-220-3。您可以下载FQP4N20参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQP4N20 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQP4N20 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。其主要应用场景包括： 1. 开关电源：FQP4N20 的高电压耐受能力（200V 最大漏源极电压）使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用。它可以作为功率转换电路中的主开关，控制电流的通断。 2. 电机驱动：该器件适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路。由于其较低的导通电阻（典型值为 0.35Ω），可以有效减少功率损耗，提高效率。 3. 负载切换：在需要频繁开启和关闭负载的应用中（如 LED 照明、加热器等），FQP4N20 可以用作电子开关，实现对负载电流的精确控制。 4. 逆变器：在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中，FQP4N20 可以用于构建 H 桥电路，将直流电转换为交流电。 5. 保护电路：利用其快速开关特性和低栅极电荷特性，FQP4N20 可以设计到过流保护、短路保护等电路中，确保系统的安全运行。 6. 音频放大器：在某些音频放大器设计中，MOSFET 被用作输出级器件，FQP4N20 的线性区域特性有助于提供稳定的信号放大。 7. 汽车电子：尽管 FQP4N20 不是车规级产品，但在非关键性的汽车电子系统中（如电动车窗、雨刷控制等），它也可以发挥作用。 总之，FQP4N20 凭借其良好的电气性能和经济性，在各种工业、消费类以及一些轻型汽车电子应用中都有广泛用途。选择具体应用场景时，需根据实际需求评估其额定参数是否满足要求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 3.6A TO-220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQP4N20 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 220pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.4 欧姆 @ 1.8A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 功率-最大值 | 45W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.6A （Tc） |
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