【晶体管 - FET，MOSFET - 单_FQP46N15】封装/厂家_FQP46N15中文资料_价格

ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > FQP46N15

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： FQP46N15
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FQP46N15由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP46N15价格参考。Fairchild SemiconductorFQP46N15封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 N 沟道 150V 45.6A（Tc） 210W（Tc） TO-220-3。您可以下载FQP46N15参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQP46N15 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQP46N15是由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。它具有低导通电阻、快速开关速度和高击穿电压等特性，因此在多种电力电子应用中表现出色。

 应用场景：

1. 电源管理：
   - FQP46N15广泛应用于各种电源管理系统中，如开关模式电源（SMPS）、直流-直流转换器（DC-DC converters）和电池充电器。其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少功率损耗，提高效率。
   
2. 电机控制：
   - 在电机驱动电路中，FQP46N15可以用于控制电机的启动、停止和调速。其快速开关特性和高电流承载能力使其适合用于无刷直流电机（BLDC）和步进电机的驱动电路。

3. 逆变器和变频器：
   - 该MOSFET可用于逆变器和变频器中的功率级，实现交流电和直流电之间的转换。其高击穿电压（Vds = 200V）确保了在高压环境下的可靠工作。

4. 负载切换：
   - FQP46N15常用于负载切换电路中，例如汽车电子系统中的继电器替代方案。它可以快速响应负载变化，提供稳定的电流输出，同时减少机械继电器的磨损。

5. 太阳能光伏系统：
   - 在太阳能光伏逆变器中，FQP46N15可用于最大功率点跟踪（MPPT）控制器，以优化太阳能电池板的能量输出。其高效的开关性能有助于提高系统的整体效率。

6. 消费电子产品：
   - 在笔记本电脑适配器、平板电脑充电器和其他便携式设备中，FQP46N15可以用于高效能的电源管理模块，确保设备在不同负载条件下稳定运行。

7. 工业自动化：
   - 在工业自动化设备中，如PLC（可编程逻辑控制器）、传感器接口和执行器控制电路中，FQP46N15能够提供可靠的开关功能，确保系统的稳定性和可靠性。

总之，FQP46N15凭借其出色的电气性能和可靠性，适用于广泛的电力电子应用，特别是在需要高效能、高可靠性和快速响应的场合。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 150V 45.6A TO-220MOSFET 150V N-Channel QFET
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	45.6 A
Id-连续漏极电流	45.6 A
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQP46N15QFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
产品型号	FQP46N15
PCN封装	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	210 W
Pd-功率耗散	210 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	42 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	42 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	150 V
Vds-漏源极击穿电压	150 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 25 V
Vgs-栅源极击穿电压	25 V
上升时间	320 ns
下降时间	200 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	3250pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	110nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	42 毫欧 @ 22.8A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-220
典型关闭延迟时间	210 ns
功率-最大值	210W
包装	管件
单位重量	1.800 g
商标	Fairchild Semiconductor
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-220-3
封装/箱体	TO-220-3
工厂包装数量	50
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	50
正向跨导-最小值	33 S
漏源极电压(Vdss)	150V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	45.6A （Tc）
系列	FQP46N15
通道模式	Enhancement
配置	Single
零件号别名	FQP46N15_NL