【未分类_FQP33N10】封装/厂家_FQP33N10中文资料_价格

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： FQP33N10
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FQP33N10由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP33N10价格参考￥3.82-￥3.82。Fairchild SemiconductorFQP33N10封装/规格：未分类，暂无。您可以下载FQP33N10参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQP33N10 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQP33N10是ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款N沟道增强型MOSFET晶体管。它属于晶体管 - FET，MOSFET - 单一类别，具有以下典型应用场景：

 1. 开关电源（SMPS）
   - FQP33N10适用于各种开关电源设计，如DC-DC转换器、反激式变换器等。
   - 其低导通电阻（Rds(on) = 0.24Ω @ Vgs = 10V）能够减少导通损耗，提高效率。
   - 在开关模式下，它能够快速切换，适合高频应用。

 2. 电机驱动
   - 用于小型直流电机或步进电机的驱动电路。
   - 可以作为功率开关，控制电机的启动、停止和速度调节。
   - 适用于玩具、风扇、泵等低功率电机驱动场景。

 3. 负载开关
   - 在便携式设备中，FQP33N10可以用作负载开关，控制不同模块的供电。
   - 它的低导通电阻有助于减少开关过程中的功耗，延长电池寿命。

 4. 电池管理
   - 用于锂电池保护电路中，作为充放电路径的开关。
   - 可以防止过流、短路或过热情况发生，保护电池安全。

 5. 音频放大器
   - 在低功率音频放大器中，FQP33N10可以用作输出级开关或驱动元件。
   - 提供高效的音频信号传输，减少失真。

 6. 继电器替代
   - 在需要固态开关的应用中，FQP33N10可以替代传统机械继电器。
   - 提高系统的可靠性和寿命，同时降低噪声。

 7. LED驱动
   - 用于驱动单个或多个LED串，特别是在需要精确电流控制的情况下。
   - 通过PWM调光技术，实现亮度调节。

 8. 汽车电子
   - 在汽车电子系统中，FQP33N10可用于控制低功率负载，如指示灯、传感器等。
   - 具有良好的耐热性和稳定性，适应复杂的汽车环境。

 总结
FQP33N10凭借其低导通电阻、高电流能力（最大 drain 电流为33A）以及宽工作电压范围（100V），广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和通信设备等领域。它的高效性能和可靠性使其成为许多低功率和中功率应用的理想选择。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 100V 33A TO-220MOSFET 100V N-Channel QFET
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	33 A
Id-连续漏极电流	33 A
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQP33N10QFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
产品型号	FQP33N10
PCN封装	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	127 W
Pd-功率耗散	127 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	52 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	52 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	100 V
Vds-漏源极击穿电压	100 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 25 V
Vgs-栅源极击穿电压	25 V
上升时间	195 ns
下降时间	110 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1500pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	51nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	52 毫欧 @ 16.5A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-220
典型关闭延迟时间	80 ns
功率-最大值	127W
包装	管件
单位重量	1.800 g
商标	Fairchild Semiconductor
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-220-3
封装/箱体	TO-220-3
工厂包装数量	50
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	50
正向跨导-最小值	22 S
漏源极电压(Vdss)	100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	33A （Tc）
系列	FQP33N10
通道模式	Enhancement
配置	Single