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详细数据请看参考数据手册

型号： FQP30N06L
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FQP30N06L由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP30N06L价格参考。Fairchild SemiconductorFQP30N06L封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 N 沟道 60V 32A（Tc） 79W（Tc） TO-220AB。您可以下载FQP30N06L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQP30N06L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQP30N06L是一款N沟道功率MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），广泛应用于各种电力电子设备中。其主要特点包括低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于需要高效能和小体积设计的场景。

 应用场景：

1. 电源管理：
   FQP30N06L常用于直流-直流转换器（DC-DC）和开关模式电源（SMPS）中。它能够高效地进行电压转换，降低功耗并提高电源效率。例如，在笔记本电脑适配器、手机充电器等便携式设备中，FQP30N06L可以实现快速充电功能，并确保长时间使用时的稳定性和安全性。

2. 电机驱动：
   该器件适用于小型电机控制，如无刷直流电机（BLDC）和步进电机。在无人机、机器人、电动工具等领域，FQP30N06L可以精确控制电机的速度和方向，提供高效的驱动能力，同时减少发热和能耗。

3. 负载切换与保护：
   在汽车电子系统中，FQP30N06L可用于负载切换和过流保护。例如，在汽车启动电路、车灯控制系统和电池管理系统中，它可以迅速响应电流变化，防止过载或短路对电路造成损害。

4. 音频放大器：
   一些高效能的音频放大器也采用FQP30N06L作为输出级元件。它能够提供大电流输出，确保音频信号的高质量传输，同时保持较低的失真率和噪声水平。

5. 消费电子产品：
   在智能手机、平板电脑等消费电子产品中，FQP30N06L被用于背光驱动、摄像头模块控制等功能。它的小尺寸和高效性能使得这些产品能够在有限的空间内实现更多功能，延长电池寿命。

总之，FQP30N06L凭借其出色的电气特性和紧凑的设计，成为众多电力电子应用中的理想选择。无论是工业控制还是消费类电子产品，它都能提供可靠的性能和高效的能源管理。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 60V 32A TO-220MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	32 A
Id-连续漏极电流	32 A
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQP30N06LQFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
产品型号	FQP30N06L
PCN封装	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	79 W
Pd-功率耗散	79 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	27 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	27 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	60 V
Vds-漏源极击穿电压	60 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	210 ns
下降时间	110 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1040pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	20nC @ 5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	35 毫欧 @ 16A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-220
典型关闭延迟时间	60 ns
功率-最大值	79W
包装	管件
单位重量	1.800 g
商标	Fairchild Semiconductor
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-220-3
封装/箱体	TO-220-3
工厂包装数量	50
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	50
正向跨导-最小值	24 S
漏源极电压(Vdss)	60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	32A （Tc）
系列	FQP30N06
通道模式	Enhancement
配置	Single
零件号别名	FQP30N06L_NL