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Datasheet下载- 型号： FQP30N06L
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQP30N06L由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP30N06L价格参考。Fairchild SemiconductorFQP30N06L封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 60V 32A（Tc） 79W（Tc） TO-220AB。您可以下载FQP30N06L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQP30N06L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQP30N06L是ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款N沟道增强型MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）。这款MOSFET具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于多种应用场景。以下是其主要应用领域： 1. 电源管理 FQP30N06L广泛应用于各种电源管理系统中，如DC-DC转换器、线性稳压器和开关电源。它能够高效地控制电流的通断，降低功耗并提高系统的整体效率。由于其低导通电阻（Rds(on)），在大电流应用中可以减少发热，提升可靠性。 2. 电机驱动 该MOSFET常用于小型电机驱动电路中，如步进电机、直流电机和无刷直流电机。它可以作为开关元件，精确控制电机的启动、停止和调速。FQP30N06L的快速开关特性有助于减少电磁干扰（EMI），确保电机运行平稳且噪音低。 3. 负载开关 在消费电子设备中，FQP30N06L可用作负载开关，控制不同模块之间的电源分配。例如，在智能手机、平板电脑和笔记本电脑中，它可以帮助实现高效的电源管理，延长电池寿命，并确保设备在待机或休眠模式下的低功耗。 4. 汽车电子 在汽车电子系统中，FQP30N06L可用于车身控制系统、电动助力转向（EPS）、空调系统和车窗升降器等。其坚固耐用的设计能够承受汽车环境中的温度变化和振动，确保长期稳定工作。 5. 工业自动化 在工业自动化领域，FQP30N06L可用于PLC（可编程逻辑控制器）、传感器接口和执行器驱动电路中。它的高可靠性和稳定性使其成为工业环境中理想的开关元件，适用于各种复杂的控制任务。 6. 太阳能逆变器 在太阳能光伏发电系统中，FQP30N06L可用于逆变器电路，将直流电转换为交流电。其低损耗特性和高耐压能力（60V）使得它能够在逆变器中高效工作，提高能源转换效率。 总的来说，FQP30N06L凭借其优异的电气性能和广泛的适用性，成为许多电子产品和系统中不可或缺的关键组件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 32A TO-220MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 32 A |
| Id-连续漏极电流 | 32 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQP30N06LQFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQP30N06L |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 79 W |
| Pd-功率耗散 | 79 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 27 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 27 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 210 ns |
| 下降时间 | 110 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1040pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 35 毫欧 @ 16A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 典型关闭延迟时间 | 60 ns |
| 功率-最大值 | 79W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.800 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 24 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 32A （Tc） |
| 系列 | FQP30N06 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FQP30N06L_NL |
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