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  • 型号: FQP30N06
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FQP30N06产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQP30N06由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP30N06价格参考。Fairchild SemiconductorFQP30N06封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 60V 30A(Tc) 79W(Tc) TO-220AB。您可以下载FQP30N06参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQP30N06 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQP30N06是一款N沟道功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于多种电子电路中,特别是在需要高效开关和低导通电阻的应用场景。以下是其主要应用场景的详细介绍:

1. 电源管理:FQP30N06常用于直流-直流(DC-DC)转换器、开关电源(SMPS)、线性稳压器等电源管理系统中。由于其低导通电阻(Rds(on)),可以有效降低功耗,提高转换效率,减少发热。在这些应用中,它通常作为开关元件,控制电流的通断。

2. 电机驱动:该MOSFET适用于小型直流电机、步进电机、伺服电机等的驱动电路。它可以快速响应PWM(脉宽调制)信号,实现对电机转速和方向的精确控制。此外,FQP30N06的耐压能力(Vds = 60V)使其能够承受电机启动时的瞬态电压冲击。

3. 负载开关:在便携式设备如手机、平板电脑、笔记本电脑等中,FQP30N06可用作负载开关,以保护电池免受过流、短路等异常情况的影响。它能迅速切断电流路径,确保系统的安全性和稳定性。

4. 逆变器与UPS系统:在不间断电源(UPS)和逆变器中,FQP30N06可以参与构建逆变电路,将直流电转换为交流电。其快速开关特性和良好的热性能有助于提升逆变器的工作效率和可靠性。

5. 汽车电子:尽管FQP30N06不是专为汽车级设计,但在一些非关键性的车载电子设备中,如车灯控制、风扇调节等,它依然可以发挥重要作用。其紧凑的封装形式适合安装在空间有限的汽车环境中。

6. 音频放大器:某些低成本或便携式音频放大器也会采用FQP30N06作为输出级的开关元件,用以驱动扬声器或其他音频负载。

总之,FQP30N06凭借其优异的电气特性,在众多领域都有广泛应用,特别是在需要高效、可靠、低成本解决方案的情况下。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 60V 30A TO-220MOSFET 60V N-Channel QFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

30 A

Id-连续漏极电流

30 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQP30N06QFET®

数据手册

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产品型号

FQP30N06

Pd-PowerDissipation

79 W

Pd-功率耗散

79 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

40 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

40 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 25 V

Vgs-栅源极击穿电压

25 V

上升时间

85 ns

下降时间

40 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

945pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

25nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

40 毫欧 @ 15A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220

其它名称

FQP30N06-ND
FQP30N06FS

典型关闭延迟时间

35 ns

功率-最大值

79W

包装

管件

单位重量

1.800 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

正向跨导-最小值

16 S

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

30A (Tc)

系列

FQP30N06

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

FQP30N06_NL

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