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FQP30N06产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQP30N06由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP30N06价格参考。Fairchild SemiconductorFQP30N06封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 60V 30A(Tc) 79W(Tc) TO-220AB。您可以下载FQP30N06参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQP30N06 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQP30N06是ON Semiconductor(安森美半导体)生产的单个MOSFET晶体管,具体来说是一个N沟道增强型功率场效应晶体管。它具有以下主要特点和应用场景: 1. 电气特性 - 最大漏源电压(VDS):60V - 最大栅源电压(VGS):±20V - 最大连续漏极电流(ID):30A(在25°C时) - 导通电阻(RDS(on)):0.047Ω(在VGS=10V时) 这些参数表明FQP30N06适合用于中低电压、高电流的应用场景。 2. 应用场景 2.1 电源管理 FQP30N06常用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器等电源管理系统中。其低导通电阻有助于减少传导损耗,提高效率。例如,在笔记本电脑适配器、手机充电器等设备中,它可以作为主开关管或同步整流管。 2.2 电机驱动 该器件适用于小型直流电机驱动电路。由于其低导通电阻和快速开关特性,FQP30N06可以在H桥电路中用作电机控制的开关元件,实现正反转、调速等功能。典型应用包括电动工具、玩具车、无人机等。 2.3 电池保护 FQP30N06可以用于锂电池或其他可充电电池组的保护电路中。通过检测过充、过放、短路等情况,FQP30N06可以迅速切断电流路径,防止电池损坏或发生危险。 2.4 汽车电子 在汽车电子领域,FQP30N06可用于车身控制系统中的负载切换,如车窗升降、座椅调节等。此外,它还可以用于LED照明系统的驱动电路,提供高效的电流控制。 2.5 工业自动化 在工业自动化设备中,FQP30N06可以用作继电器替代品,实现信号隔离与放大功能。例如,在PLC(可编程逻辑控制器)输出模块中,它可以驱动外部负载,如电磁阀、步进电机等。 3. 总结 FQP30N06凭借其优异的电气性能和广泛的适用性,在消费电子、工业控制、汽车电子等多个领域都有广泛的应用。其低导通电阻和快速开关特性使其成为许多设计的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 60V 30A TO-220MOSFET 60V N-Channel QFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 30 A |
Id-连续漏极电流 | 30 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQP30N06QFET® |
数据手册 | |
产品型号 | FQP30N06 |
Pd-PowerDissipation | 79 W |
Pd-功率耗散 | 79 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 40 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 40 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
上升时间 | 85 ns |
下降时间 | 40 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 945pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 40 毫欧 @ 15A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220 |
其它名称 | FQP30N06-ND |
典型关闭延迟时间 | 35 ns |
功率-最大值 | 79W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 1.800 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
正向跨导-最小值 | 16 S |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 30A (Tc) |
系列 | FQP30N06 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | FQP30N06_NL |