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产品简介:
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FQP2NA90 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件具有 900V 的高击穿电压,适用于需要高耐压能力的电路设计。以下是 FQP2NA90 的一些典型应用场景: 1. 开关电源 (SMPS) - FQP2NA90 可用于开关电源中的高压开关元件。由于其高耐压特性,适合用作 PFC(功率因数校正)电路或 DC-DC 转换器中的主开关。 - 在离线式开关电源中,该器件能够承受输入整流后的高压直流电(如 375V 或更高),并实现高效的能量转换。 2. 电机驱动 - 在工业控制和家电领域,FQP2NA90 可用于驱动小型直流电机或步进电机。其高耐压性能使其能够在高压环境下可靠运行。 - 它可以作为 H 桥电路的一部分,用于控制电机的正转、反转和速度调节。 3. 逆变器 - 该 MOSFET 适用于太阳能逆变器或其他类型的逆变器电路。在这些应用中,它可以用作高频开关元件,将直流电转换为交流电。 - 高耐压特性使它能够处理较高的输入电压,同时保持较低的导通电阻以减少功耗。 4. 电磁阀和继电器驱动 - FQP2NA90 可用于驱动高压电磁阀或继电器。例如,在汽车电子或工业自动化设备中,它能够承受启动瞬间的高电压浪涌,并提供稳定的电流输出。 5. 保护电路 - 在过压保护或负载开关电路中,FQP2NA90 可以用作开关元件。其高耐压能力使其能够在异常情况下保护下游电路免受损坏。 6. 固态继电器 (SSR) - 该器件可以用于设计固态继电器,替代传统的机械继电器。它能够在高电压下快速切换,并且没有机械磨损。 7. 脉冲宽度调制 (PWM) 控制 - 在 PWM 控制电路中,FQP2NA90 可以作为功率级开关使用。例如,在 LED 驱动器或音频放大器中,它能够高效地调节输出功率。 总结 FQP2NA90 的高耐压(900V)、低导通电阻(典型值 8.5Ω@10V)以及良好的开关性能,使其成为高压电源管理、电机控制和工业自动化领域的理想选择。它的应用范围广泛,涵盖了从消费电子产品到工业设备的多种场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 900V 2.8A TO-220 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FQP2NA90 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | QFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 680pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5.8 欧姆 @ 1.4A,10V |
供应商器件封装 | TO-220 |
功率-最大值 | 107W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
标准包装 | 1,000 |
漏源极电压(Vdss) | 900V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.8A (Tc) |