ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > FQP2N90
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
FQP2N90产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQP2N90由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP2N90价格参考。Fairchild SemiconductorFQP2N90封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 900V 2.2A(Tc) 85W(Tc) TO-220-3。您可以下载FQP2N90参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQP2N90 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQP2N90 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。它具有高电压耐受能力(最大漏源极电压 VDS = 500V),适合用于高压环境下的开关和功率转换应用。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源 (SMPS) FQP2N90 常用于开关模式电源中作为主开关器件,例如反激式、正激式或升压/降压转换器。它的高电压能力和较低的导通电阻(RDS(on) = 4.8Ω @ VGS=10V)使其能够在高频开关条件下高效运行。 2. 电机驱动与控制 在直流电机驱动电路中,FQP2N90 可用作电子开关来控制电机的启动、停止和速度调节。其高耐压特性使其适用于需要较高电压驱动的工业电机或家用电器电机。 3. 逆变器电路 该 MOSFET 适合用于小型逆变器设计,例如将直流电转换为交流电的太阳能逆变器或 UPS 系统中的逆变电路。它能够承受较高的电压波动并提供稳定的输出性能。 4. 负载切换与保护 FQP2N90 可用于负载切换电路中,实现对设备的快速开启和关闭操作。此外,在过流保护电路中,它可以充当电流限制开关以防止下游组件损坏。 5. 音频放大器中的开关应用 在某些音频放大器设计中,FQP2N90 能够用作电源管理部分的开关元件,确保放大器在不同工作模式下获得适当的供电。 6. 继电器替代方案 由于其快速开关特性和可靠性,FQP2N90 可以取代传统机械继电器用于固态继电器(SSR)的设计中,特别是在需要频繁开关或长寿命的应用场合。 7. 电池管理系统 (BMS) 在高电压电池组中,FQP2N90 可用于电池充放电路径的控制,帮助实现过压、欠压及短路保护功能。 总之,FQP2N90 凭借其出色的高压性能和耐用性,广泛应用于各种电力电子设备中,尤其是在需要处理高电压和高效率开关操作的场景下表现优异。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 900V 2.2A TO-220MOSFET 900V N-Channel QFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 2.2 A |
Id-连续漏极电流 | 2.2 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQP2N90QFET® |
数据手册 | |
产品型号 | FQP2N90 |
PCN封装 | |
Pd-PowerDissipation | 85 W |
Pd-功率耗散 | 85 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 7.2 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 7.2 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 900 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 900 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 35 ns |
下降时间 | 30 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 500pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 7.2 欧姆 @ 1.1A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220 |
其它名称 | FQP2N90-ND |
典型关闭延迟时间 | 20 ns |
功率-最大值 | 85W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 1.800 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
正向跨导-最小值 | 2 S |
漏源极电压(Vdss) | 900V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.2A (Tc) |
系列 | FQP2N90 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | FQP2N90_NL |