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  • 型号: FQP27N25
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FQP27N25产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQP27N25由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP27N25价格参考。Fairchild SemiconductorFQP27N25封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 250V 25.5A(Tc) 180W(Tc) TO-220AB。您可以下载FQP27N25参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQP27N25 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQP27N25是由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的单个MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),具体为N沟道增强型功率MOSFET。该型号的MOSFET因其出色的电气性能和可靠性,在多种应用场景中得到了广泛应用。

 1. 电源管理
FQP27N25常用于电源管理电路中,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器等。其低导通电阻(Rds(on))特性使其在高电流应用中表现出色,能够有效降低功耗,提高效率。此外,它还适用于线性稳压器中的开关元件,帮助实现高效的电压调节。

 2. 电机驱动
该MOSFET可用于驱动直流电机、步进电机或无刷直流电机(BLDC)。其高耐压(250V)和大电流能力(最大连续漏极电流可达27A)使其能够在电机控制电路中稳定工作,特别是在需要频繁启停或调速的应用场景中,如电动工具、家用电器等。

 3. 逆变器与变频器
FQP27N25也广泛应用于逆变器和变频器中,用于将直流电转换为交流电或改变交流电的频率。其快速开关特性和低损耗使得它在这些应用中表现优异,能够有效地减少热量产生,延长设备使用寿命。

 4. 保护电路
在过流保护、短路保护等安全电路设计中,FQP27N25可以作为关键的开关元件。通过检测电流或电压的变化,它可以迅速切断电路,防止过载或短路对系统造成损害。

 5. 音频放大器
在某些音频放大器设计中,FQP27N25可以用作输出级的功率放大元件。其低噪声特性和稳定的输出特性有助于提高音频信号的质量,减少失真。

 6. 汽车电子
在汽车电子领域,FQP27N25可用于车载充电器、LED照明控制、电动座椅驱动等应用。其高可靠性和宽温度范围(-55°C至+150°C)使其能够在严苛的汽车环境中稳定工作。

总之,FQP27N25凭借其高性能和广泛的适用性,成为众多电力电子应用的理想选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 250V 25.5A TO-220MOSFET 250V N-Channel QFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

25.5 A

Id-连续漏极电流

25.5 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQP27N25QFET®

数据手册

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产品型号

FQP27N25

Pd-PowerDissipation

180 W

Pd-功率耗散

180 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

110 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

110 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

250 V

Vds-漏源极击穿电压

250 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

270 ns

下降时间

120 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2450pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

65nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

110 毫欧 @ 12.75A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220

典型关闭延迟时间

80 ns

功率-最大值

180W

包装

管件

单位重量

1.800 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

正向跨导-最小值

24 S

漏源极电压(Vdss)

250V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

25.5A (Tc)

系列

FQP27N25

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

FQP27N25_NL

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