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型号： FQP19N20C_F080
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FQP19N20C_F080由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP19N20C_F080价格参考。Fairchild SemiconductorFQP19N20C_F080封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 N 沟道 200V 19A（Tc） 139W（Tc） TO-220-3。您可以下载FQP19N20C_F080参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQP19N20C_F080 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQP19N20C_F080 是一款由 ON Semiconductor 生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于单个 FET 类别。它广泛应用于需要高效开关和功率管理的电路中，特别是在电源管理和电机控制领域。

 应用场景：

1. 电源管理：
   - 开关电源 (SMPS)：FQP19N20C_F080 的低导通电阻（Rds(on)）使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用。它可以有效地减少传导损耗，提高转换效率。
   - DC-DC 转换器：在降压、升压或升降压转换器中，该 MOSFET 可以作为主开关或同步整流器，提供高效的电压转换。

2. 电机驱动：
   - 无刷直流电机 (BLDC) 和 步进电机：FQP19N20C_F080 可用于电机驱动电路中的H桥或半桥配置，实现对电机的精确控制。其高击穿电压（Vds = 200V）确保了在高压环境下也能稳定工作。
   - 电动工具：在电动工具中，该 MOSFET 可以用于驱动电机，提供快速响应和高效率的电流切换。

3. 逆变器：
   - 太阳能逆变器：在太阳能系统中，MOSFET 用于将直流电转换为交流电。FQP19N20C_F080 的高耐压特性和低损耗特性使其成为逆变器的理想选择。
   - 不间断电源 (UPS)：在 UPS 系统中，MOSFET 用于电池充电和放电控制，确保系统在市电中断时能够平稳切换到电池供电。

4. 负载开关：
   - 消费电子设备：在智能手机、平板电脑等便携式设备中，FQP19N20C_F080 可以用作负载开关，控制不同模块的电源供应，从而延长电池寿命并提高系统的能效。

5. 保护电路：
   - 过流保护：该 MOSFET 可以用于设计过流保护电路，当检测到异常电流时迅速切断电源，保护下游电路免受损坏。
   - 短路保护：在某些应用中，FQP19N20C_F080 还可以用于短路保护，防止因短路导致的器件损坏。

总之，FQP19N20C_F080 凭借其出色的电气性能和可靠性，适用于多种工业、消费类和汽车电子应用，尤其是在需要高效功率转换和开关操作的场合。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 200V 19A TO-220
产品分类	FET - 单
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	Fairchild Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	FQP19N20C_F080
PCN过时产品	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	QFET®
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1080pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	53nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	170 毫欧 @ 9.5A，10V
供应商器件封装	TO-220
功率-最大值	139W
包装	管件
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-220-3
标准包装	50
漏源极电压(Vdss)	200V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	19A （Tc）