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型号： FQP19N20CTSTU
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FQP19N20CTSTU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP19N20CTSTU价格参考。Fairchild SemiconductorFQP19N20CTSTU封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 N 沟道 200V 19A（Tc） 139W（Tc） TO-220-3。您可以下载FQP19N20CTSTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQP19N20CTSTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQP19N20CTSTU 是由 ON Semiconductor 生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。它具有低导通电阻和高击穿电压，广泛应用于多种电力电子设备中。以下是其主要应用场景：

 1. 电源管理
   FQP19N20CTSTU 常用于开关电源、直流-直流转换器等电源管理系统中。由于其高击穿电压（200V）和低导通电阻（最大 Rds(on) 为 0.65Ω），能够在高效能要求下实现稳定的电流控制。在这些应用中，MOSFET 起到开关的作用，能够快速切换电路的通断状态，从而提高电源转换效率。

 2. 电机驱动
   在小型电机驱动电路中，FQP19N20CTSTU 可以作为功率级元件，控制电机的启动、停止和调速。它的高耐压特性和大电流承载能力（最大 Id 为 19A），使其适合用于驱动步进电机、直流无刷电机等。此外，MOSFET 的低损耗特性有助于减少发热，延长电机系统的使用寿命。

 3. 电池保护与充电
   该型号的 MOSFET 还可用于电池保护电路和充电管理系统。它可以防止过充、过放、短路等异常情况的发生，确保电池的安全使用。通过精确控制充电电流和电压，FQP19N20CTSTU 能够有效提高电池的充电效率和安全性。

 4. 工业自动化
   在工业控制系统中，FQP19N20CTSTU 可用于继电器替代、电磁阀驱动等场合。其高可靠性和耐用性使其能够在恶劣环境下长期稳定工作。例如，在工厂自动化生产线中，MOSFET 可以用于控制气动或液压系统中的电磁阀，实现精准的动作控制。

 5. 汽车电子
   FQP19N20CTSTU 也适用于汽车电子领域，如车载逆变器、LED 照明控制、电动座椅调节等。其宽温度范围（-55°C 至 +150°C）和抗干扰能力强的特点，使得它能够在车辆复杂的电气环境中保持稳定性能。

总之，FQP19N20CTSTU 凭借其出色的电气参数和可靠性，广泛应用于各种需要高效、稳定电力控制的场景中。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 200V 19A TO-220
产品分类	FET - 单
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	Fairchild Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	FQP19N20CTSTU
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	QFET®
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1080pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	53nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	170 毫欧 @ 9.5A，10V
供应商器件封装	TO-220
功率-最大值	139W
包装	管件
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-220-3
标准包装	50
漏源极电压(Vdss)	200V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	19A （Tc）