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Datasheet下载- 型号： FQP19N20C
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQP19N20C由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP19N20C价格参考。Fairchild SemiconductorFQP19N20C封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 200V 19A（Tc） 139W（Tc） TO-220-3。您可以下载FQP19N20C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQP19N20C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQP19N20C 是由 ON Semiconductor 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。这款晶体管属于功率 MOSFET 类别，具有高电流承载能力和低导通电阻特性，适用于多种电力电子应用。 应用场景： 1. 开关电源 (SMPS)： FQP19N20C 常用于开关模式电源中的高频开关元件。其快速开关特性和低导通电阻有助于提高电源效率，减少热量产生。它可以在升压、降压或反激式变换器中作为主开关使用。 2. 电机驱动： 该 MOSFET 可用于驱动直流电机、步进电机和无刷直流电机。由于其高电流处理能力（最大漏极电流可达 19A），适合用于需要较大电流的电机控制电路。此外，它的低导通电阻可以降低功耗，延长电池寿命。 3. 逆变器： 在太阳能逆变器和其他类型的逆变器中，FQP19N20C 可以作为开关元件，将直流电转换为交流电。其良好的开关性能和耐高压特性（最高耐压 200V）使其能够稳定工作在这些应用中。 4. 负载切换： 用于负载切换电路中，FQP19N20C 可以快速响应并可靠地接通或断开负载。例如，在汽车电子系统中，它可以用来控制大功率负载如车灯、电动座椅等的通断。 5. 过流保护电路： 利用其内置的体二极管和低导通电阻，FQP19N20C 可以设计成过流保护电路的一部分，当检测到异常电流时迅速切断电路，保护下游设备免受损害。 6. 音频放大器： 在一些高性能音频放大器中，MOSFET 也被用作输出级器件。FQP19N20C 的线性区特性使得它能够在音频信号放大的过程中保持较低的失真度，提供高质量的声音输出。 总结来说，FQP19N20C 凭借其出色的电气参数和可靠性，广泛应用于各种需要高效能、高可靠性的电力电子设备中，尤其是在涉及大电流和高电压的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 19A TO-220MOSFET 200V N-Channel Advance Q-FET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 19 A |
| Id-连续漏极电流 | 19 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQP19N20CQFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQP19N20C |
| Pd-PowerDissipation | 139 W |
| Pd-功率耗散 | 139 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 170 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 170 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 150 ns |
| 下降时间 | 115 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1080pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 53nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 170 毫欧 @ 9.5A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 典型关闭延迟时间 | 135 ns |
| 功率-最大值 | 139W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.800 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 10.8 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 19A （Tc） |
| 系列 | FQP19N20 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FQP19N20C_NL |
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