数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQP12N60C由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP12N60C价格参考。Fairchild SemiconductorFQP12N60C封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQP12N60C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQP12N60C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQP12N60C 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。其主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS) FQP12N60C 的高电压耐受能力(600V Vds)使其非常适合用于开关电源中的高压开关应用,例如 AC-DC 转换器、DC-DC 转换器和功率因数校正(PFC)电路。 2. 电机驱动 该器件可用于控制直流电机或步进电机的运行。由于其低导通电阻(Rds(on) = 0.45Ω @ Vgs=10V),能够有效减少功率损耗,提高效率,适用于家电、工业设备和小型机器人等场景。 3. 逆变器 在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中,FQP12N60C 可作为功率开关使用,将直流电转换为交流电,支持高效的能量转换。 4. 负载切换 该 MOSFET 可用作负载切换开关,控制高电压负载的通断状态。例如,在汽车电子系统中,它可以用来管理大功率灯泡、风扇或泵的供电。 5. 续流二极管替代 在某些电路设计中,FQP12N60C 可以替代传统的续流二极管,提供更高效的能量回收功能,尤其是在电感性负载电路中。 6. 电池管理系统(BMS) 该器件可用于保护电池组免受过充、过放或短路的影响,通过快速切断电流来确保安全。 7. 家用电器 在电磁炉、微波炉、空调压缩机等家电产品中,FQP12N60C 可用于功率控制模块,实现高效节能。 8. 工业自动化 在工业自动化领域,这款 MOSFET 常被用作固态继电器的核心元件,用于远程控制高电压设备的启动与停止。 总之,FQP12N60C 凭借其出色的电气性能和可靠性,广泛应用于需要高效功率转换和控制的各类电子设备中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 600V 12A TO-220MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 12 A |
Id-连续漏极电流 | 12 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQP12N60CQFET® |
数据手册 | |
产品型号 | FQP12N60C |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 225 W |
Pd-功率耗散 | 225 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 650 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 650 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 85 ns |
下降时间 | 90 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2290pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 63nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 650 毫欧 @ 6A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220 |
典型关闭延迟时间 | 155 ns |
功率-最大值 | 225W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 1.800 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1,000 |
正向跨导-最小值 | 13 S |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 12A (Tc) |
系列 | FQP12N60 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |