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  • 型号: FQI50N06TU
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQI50N06TU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQI50N06TU价格参考。Fairchild SemiconductorFQI50N06TU封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQI50N06TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQI50N06TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 60V 50A I2PAKMOSFET 60V N-Channel QFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

50 A

Id-连续漏极电流

50 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQI50N06TUQFET®

数据手册

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产品型号

FQI50N06TU

Pd-PowerDissipation

3.75 W

Pd-功率耗散

3.75 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

22 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

22 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 25 V

Vgs-栅源极击穿电压

25 V

上升时间

105 ns

下降时间

65 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1540pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

41nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

22 毫欧 @ 25A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

I2PAK

典型关闭延迟时间

60 ns

功率-最大值

3.75W

包装

管件

单位重量

2.084 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

22 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

封装/箱体

I2PAK-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

正向跨导-最小值

22 S

汲极/源极击穿电压

60 V

漏极连续电流

50 A

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

50A (Tc)

系列

FQI50N06

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

FQI50N06TU_NL

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