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Datasheet下载- 型号： FQI27N25TU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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FQI27N25TU产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQI27N25TU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQI27N25TU价格参考。Fairchild SemiconductorFQI27N25TU封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 250V 25.5A（Tc） 3.13W（Ta），180W（Tc） I2PAK（TO-262）。您可以下载FQI27N25TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQI27N25TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAKMOSFET 250V N-Channel QFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 25.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 25.5 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQI27N25TUQFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQI27N25TU |
| Pd-PowerDissipation | 3.13 W |
| Pd-功率耗散 | 3.13 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 110 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 110 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 250 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 250 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 270 ns |
| 下降时间 | 120 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2450pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 65nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 110 毫欧 @ 12.75A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 典型关闭延迟时间 | 80 ns |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 2.084 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 110 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 封装/箱体 | I2PAK-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 24 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 250 V |
| 漏极连续电流 | 25.5 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 250V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 25.5A （Tc） |
| 系列 | FQI27N25 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FQI27N25TU_NL |
