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Datasheet下载- 型号： FQI13N50CTU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQI13N50CTU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQI13N50CTU价格参考。Fairchild SemiconductorFQI13N50CTU封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 500V 13A（Tc） 195W（Tc） I2PAK（TO-262）。您可以下载FQI13N50CTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQI13N50CTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQI13N50CTU 是由 ON Semiconductor 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。该型号属于高压 MOSFET 类别，具有 500V 的最大漏源电压 (VDS)，最大导通电阻为 0.8Ω（在 VGS = 10V 时），并且支持最高 2.4A 的连续漏极电流。以下是 FQI13N50CTU 的主要应用场景： 1. 开关电源 (SMPS) FQI13N50CTU 适用于各种开关电源设计，尤其是在需要高电压和中等电流的应用中。由于其较高的耐压能力（500V），它能够在高压环境下稳定工作，适合用于离线式开关电源、反激式转换器等场景。此外，低导通电阻有助于减少功率损耗，提高电源转换效率。 2. 电机驱动与控制 在电机驱动应用中，MOSFET 被用作开关元件，控制电机的启动、停止和速度调节。FQI13N50CTU 的高耐压特性使其能够承受电机启动时的瞬态高压冲击，同时其较低的导通电阻可以减少发热，延长设备寿命。常见的应用场景包括电动工具、家用电器中的小型电机控制等。 3. 工业自动化 在工业自动化系统中，MOSFET 常用于控制继电器、电磁阀和其他执行器。FQI13N50CTU 可以作为这些负载的开关元件，确保在高压条件下可靠运行。例如，在工厂自动化生产线中，它可以用于控制气缸、传感器等设备的供电。 4. 太阳能逆变器 太阳能逆变器将光伏板产生的直流电转换为交流电，过程中需要高效的开关元件来实现功率转换。FQI13N50CTU 的高耐压特性和低导通电阻使其成为逆变器中理想的选择，尤其是在处理高压直流输入的情况下。 5. 电池管理系统 (BMS) 在电池管理系统中，MOSFET 用于保护电池免受过充、过放和短路等异常情况的影响。FQI13N50CTU 可以用作电池组中的开关元件，确保在异常情况下迅速切断电路，保护电池安全。 总结： FQI13N50CTU 凭借其高耐压、低导通电阻和可靠的性能，广泛应用于开关电源、电机驱动、工业自动化、太阳能逆变器以及电池管理系统等领域。它特别适合需要在高压环境下工作的场合，能够提供高效、稳定的开关控制。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 13A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQI13N50CTU |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2055pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 56nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 480 毫欧 @ 6.5A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 功率-最大值 | 195W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 13A （Tc） |
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