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  • 型号: FQH44N10_F133
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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FQH44N10_F133产品简介:

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产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 100V 48A TO-247MOSFET Trans MOS N-Ch 100V 48A 3-Pin 3+Tab

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

48 A

Id-连续漏极电流

48 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQH44N10_F133QFET®

数据手册

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产品型号

FQH44N10_F133

Pd-PowerDissipation

180 W

Pd-功率耗散

180 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

39 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

39 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 25 V

Vgs-栅源极击穿电压

25 V

上升时间

190 ns

下降时间

100 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1800pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

62nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

39 毫欧 @ 24A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-247AD

其它名称

FQH44N10_F133-ND
FQH44N10_F133FS
FQH44N10F133

典型关闭延迟时间

90 ns

功率-最大值

180W

包装

管件

单位重量

6.390 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-3P-3,SC-65-3

封装/箱体

TO-247-3

工厂包装数量

30

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

30

正向跨导-最小值

31 S

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

48A (Tc)

系列

FQH44N10

通道模式

Enhancement

配置

Single

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