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FQD8P10TM产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD8P10TM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD8P10TM价格参考¥1.66-¥1.66。Fairchild SemiconductorFQD8P10TM封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 100V 6.6A(Tc) 2.5W(Ta),44W(Tc) D-Pak。您可以下载FQD8P10TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQD8P10TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAKMOSFET 100V P-Channel QFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | - 6.6 A |
Id-连续漏极电流 | - 6.6 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQD8P10TMQFET® |
数据手册 | |
产品型号 | FQD8P10TM |
PCN封装 | |
Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
Pd-功率耗散 | 2.5 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 530 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 530 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 110 ns |
下降时间 | 35 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 470pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 530 毫欧 @ 3.3A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-252-3 |
其它名称 | FQD8P10TMDKR |
典型关闭延迟时间 | 20 ns |
功率-最大值 | 2.5W |
包装 | Digi-Reel® |
单位重量 | 260.370 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | DPAK-2 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 4.1 S |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6.6A (Tc) |
系列 | FQD8P10 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | FQD8P10TM_NL |