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Datasheet下载- 型号： FQD5P10TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD5P10TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD5P10TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQD5P10TM封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 100V 3.6A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak。您可以下载FQD5P10TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQD5P10TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQD5P10TM 是由 ON Semiconductor 生产的单个 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于 FET 类别。该型号的应用场景非常广泛，尤其适用于需要高效、低功耗和高可靠性的电路设计。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 FQD5P10TM 可用于各种电源管理应用中，如 DC-DC 转换器、开关电源（SMPS）和负载开关。它具有较低的导通电阻（Rds(on)），能够减少功率损耗，提高转换效率，特别适合在电池供电设备或对能效要求较高的系统中使用。 2. 电机驱动 在小型电机驱动应用中，FQD5P10TM 可作为开关元件，控制电机的启动、停止和调速。由于其快速开关特性和低损耗，它能够在高频工作状态下保持良好的性能，适用于消费电子、家用电器中的电机控制。 3. 信号切换 FQD5P10TM 可用于模拟和数字信号的切换，特别是在需要隔离输入和输出信号的场合。例如，在通信设备、测试仪器和音频设备中，它可以实现信号路径的选择和保护功能。 4. 过流保护 该器件还可以用作过流保护电路中的关键元件。当电流超过预设阈值时，MOSFET 可以迅速关断，防止下游电路受损。这种特性使其非常适合用于 USB 端口、充电器和其他需要电流限制的接口电路。 5. 电池管理系统 (BMS) 在电池管理系统中，FQD5P10TM 可用于电池充放电控制、均衡管理和短路保护等。它的低导通电阻有助于减少电池内部的发热，延长电池寿命，并确保系统的安全运行。 6. 汽车电子 在汽车电子领域，FQD5P10TM 可应用于车身控制系统、照明系统、电动座椅调节以及辅助驾驶系统中的传感器信号处理等。它具备良好的抗干扰能力和环境适应性，能够在严苛的工作条件下稳定工作。 总的来说，FQD5P10TM 凭借其优异的电气特性、紧凑的封装形式以及广泛的电压和电流范围，成为众多电子应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 100V 3.6A DPAKMOSFET 100V P-Channel QFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 3.6 A |
| Id-连续漏极电流 | - 3.6 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQD5P10TMQFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQD5P10TM |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.05 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.05 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 70 ns |
| 下降时间 | 30 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 250pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.2nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.05 欧姆 @ 1.8A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-252-3 |
| 其它名称 | FQD5P10TMFSCT |
| 典型关闭延迟时间 | 12 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 260.370 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 2.3 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.6A （Tc） |
| 系列 | FQD5P10 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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