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Datasheet下载- 型号： FQD5N60CTM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD5N60CTM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD5N60CTM价格参考。Fairchild SemiconductorFQD5N60CTM封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 600V 2.8A（Tc） 2.5W（Ta），49W（Tc） D-Pak。您可以下载FQD5N60CTM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQD5N60CTM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美半导体）的FQD5N60CTM是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，其主要应用场景包括以下领域： 1. 开关电源（SMPS）：该型号的MOSFET具有较高的电压耐受能力（600V），适用于开关电源中的高频开关应用。它能够高效地控制功率转换，广泛用于AC-DC或DC-DC转换器中。 2. 电机驱动与控制：FQD5N60CTM可用于驱动中小型电机，特别是在需要高电压和快速开关的应用中，例如家用电器、电动工具和工业自动化设备中的电机控制电路。 3. 逆变器：在太阳能逆变器和其他类型的电力逆变器中，这款MOSFET可以作为关键的功率开关器件，实现直流到交流的转换。 4. 负载开关：由于其低导通电阻（Rds(on)）特性，该器件非常适合用作负载开关，能够在高电流条件下提供高效的导通性能，同时减少功率损耗。 5. 电磁阀和继电器驱动：在工业控制和汽车电子系统中，FQD5N60CTM可用于驱动电磁阀和继电器等感性负载，确保可靠的操作和快速响应。 6. 电动车和混合动力车（EV/HEV）：在电动车和混合动力车的电池管理系统（BMS）、DC-DC转换器以及辅助电源模块中，这款MOSFET可以发挥重要作用。 7. 照明应用：在高压LED驱动器中，FQD5N60CTM可用于调节电流以实现精确的亮度控制，同时保持系统的高效率。 8. 保护电路：由于其高击穿电压和快速开关速度，该器件也可用于过流保护、短路保护等电路设计中，为系统提供额外的安全保障。 总之，FQD5N60CTM凭借其出色的电气特性和可靠性，适合各种需要高效功率管理的工业、消费电子及汽车应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAKMOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.8 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.8 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQD5N60CTMQFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQD5N60CTM |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.5 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.5 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 42 ns |
| 下降时间 | 46 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 670pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.5 欧姆 @ 1.4A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | FQD5N60CTM-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 38 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单位重量 | 260.370 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.8A （Tc） |
| 系列 | FQD5N60 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FQD5N60CTM_NL |
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