【晶体管 - FET，MOSFET - 单_FQD5N50CTM_F080】封装/厂家_FQD5N50CTM_F080中文资料_价格

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型号： FQD5N50CTM_F080
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FQD5N50CTM_F080由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD5N50CTM_F080价格参考。Fairchild SemiconductorFQD5N50CTM_F080封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 500V 4A（Tc） 2.5W（Ta），48W（Tc） D-Pak。您可以下载FQD5N50CTM_F080参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQD5N50CTM_F080 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQD5N50CTM_F080 是由 ON Semiconductor（现为安森美半导体）生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。这款器件属于单个晶体管类型，具有较高的耐压和较低的导通电阻，适用于多种电力电子应用场景。

 应用场景

1. 开关电源 (SMPS)
   FQD5N50CTM_F080 的高耐压特性使其非常适合用于开关电源中的功率转换电路。它可以在高压环境下工作，确保电源系统的稳定性和可靠性。该器件的低导通电阻有助于减少功率损耗，提高电源效率。

2. 电机驱动
   在电机驱动应用中，MOSFET 作为开关元件控制电机的电流流动。FQD5N50CTM_F080 可以快速响应开关信号，提供高效的电流控制，适用于直流无刷电机 (BLDC) 和步进电机等驱动系统。

3. 逆变器
   逆变器将直流电转换为交流电，广泛应用于太阳能发电系统、不间断电源 (UPS) 等设备。FQD5N50CTM_F080 的高耐压和低损耗特性使其成为逆变器电路中的理想选择，能够有效提升转换效率并降低发热。

4. 电池管理系统 (BMS)
   在电池管理系统中，MOSFET 用于控制电池的充放电过程，保护电池免受过充、过放等问题的影响。FQD5N50CTM_F080 的高可靠性和低导通电阻有助于实现精确的电流控制和高效的能量管理。

5. 工业自动化
   工业自动化设备如PLC（可编程逻辑控制器）、传感器接口等需要高性能的开关元件来控制负载。FQD5N50CTM_F080 可以在这些应用中提供稳定的开关性能，确保系统的正常运行。

6. LED 驱动
   LED 照明系统中，MOSFET 用于调节电流以保持 LED 的亮度稳定。FQD5N50CTM_F080 的低导通电阻可以减少发热，延长 LED 的使用寿命，并提高照明系统的整体效率。

总之，FQD5N50CTM_F080 凭借其出色的电气性能和可靠性，在各种电力电子应用中表现出色，适用于需要高效、稳定开关操作的场合。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
产品分类	FET - 单
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	Fairchild Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	FQD5N50CTM_F080
PCN过时产品	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	QFET®
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	625pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	24nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	1.4 欧姆 @ 2A，10V
供应商器件封装	D-Pak
功率-最大值	2.5W
包装	带卷（TR）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
标准包装	2,500
漏源极电压(Vdss)	500V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	4A （Tc）