ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > FQD5N50CTF
Datasheet下载- 型号： FQD5N50CTF
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD5N50CTF由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD5N50CTF价格参考。Fairchild SemiconductorFQD5N50CTF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 500V 4A（Tc） 2.5W（Ta），48W（Tc） D-Pak。您可以下载FQD5N50CTF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQD5N50CTF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的FQD5N50CTF是一款单通道MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于FET晶体管系列。该器件具有以下特点和应用场景： 1. 电气特性： - FQD5N50CTF是一款N沟道增强型MOSFET，其最大漏源电压（VDS）为500V，最大连续漏极电流（ID）为4.6A（在25°C时），导通电阻（RDS(on)）较低，有助于提高效率并减少发热。 - 该器件的工作温度范围较宽，从-55°C到+150°C，适用于各种环境条件。 2. 应用场景： - 电源管理：FQD5N50CTF广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器等电源管理系统中。其高耐压和低导通电阻特性使其能够在高压环境下高效工作，适合用于工业电源、服务器电源、通信电源等领域。 - 电机控制：在电机驱动和控制电路中，FQD5N50CTF可以作为开关元件使用。它能够快速响应并精确控制电机的启动、停止和速度调节，适用于电动工具、家用电器、自动化设备等领域的电机控制系统。 - 逆变器和变频器：该MOSFET可用于太阳能逆变器、UPS不间断电源以及变频空调等设备中。其高耐压和低损耗特性有助于提高系统的整体效率和可靠性。 - 保护电路：FQD5N50CTF还可以用于过流保护、短路保护等电路中，确保系统在异常情况下能够安全运行。其快速开关特性和低导通电阻有助于减少能量损失，提升保护性能。 3. 其他应用： - 在一些需要高频开关的应用中，如LED驱动、电磁阀控制等，FQD5N50CTF也能发挥重要作用。其出色的开关速度和低损耗特性使得它在这些应用中表现出色。 综上所述，FQD5N50CTF凭借其优异的电气特性和广泛的应用场景，成为许多电力电子设备中的关键元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 4A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQD5N50CTF |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 625pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 24nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.4 欧姆 @ 2A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4A （Tc） |
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