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  • 型号: FQD4N25TM_WS
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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FQD4N25TM_WS产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQD4N25TM_WS由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供FQD4N25TM_WS价格参考以及Fairchild SemiconductorFQD4N25TM_WS封装/规格参数等产品信息。 你可以下载FQD4N25TM_WS参考资料、Datasheet数据手册功能说明书, 资料中有FQD4N25TM_WS详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 250V 3A DPAKMOSFET 250V N-Channel QFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

3 A

Id-连续漏极电流

3 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQD4N25TM_WSQFET®

数据手册

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产品型号

FQD4N25TM_WS

PCN封装

点击此处下载产品Datasheet

Pd-PowerDissipation

2.5 W

Pd-功率耗散

2.5 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

1.75 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

1.75 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

250 V

Vds-漏源极击穿电压

250 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

45 ns

下降时间

22 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

200pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

5.6nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.75 欧姆 @ 1.5A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D-Pak

其它名称

FQD4N25TM_WSCT

典型关闭延迟时间

6.4 ns

功率-最大值

2.5W

包装

剪切带 (CT)

单位重量

260.370 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

250V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

3A (Tc)

系列

FQD4N25

通道模式

Enhancement

配置

Single

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