ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > FQD2P40TM
Datasheet下载- 型号： FQD2P40TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD2P40TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD2P40TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQD2P40TM封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 400V 1.56A（Tc） 2.5W（Ta），38W（Tc） D-Pak。您可以下载FQD2P40TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQD2P40TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQD2P40TM 是一款由 ON Semiconductor 生产的单通道 N 沟道 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。它属于功率 MOSFET 类别，广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的应用场景中。以下是 FQD2P40TM 的一些主要应用场景： 1. 电源管理：FQD2P40TM 常用于各种电源管理系统中，例如 DC-DC 转换器、开关电源（SMPS）等。其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少传导损耗，提高电源转换效率。 2. 电机控制：在小型电机驱动电路中，FQD2P40TM 可以用作开关元件，控制电机的启动、停止和调速。其快速开关特性和低导通电阻使其非常适合这类应用。 3. 负载开关：FQD2P40TM 可以用作负载开关，用于控制电路中的电流流动。它可以在需要时迅速切断或接通电流，保护电路免受过载或短路的影响。 4. 电池管理系统：在电池管理系统（BMS）中，FQD2P40TM 可以用于电池充放电控制，确保电池在安全范围内工作。其低导通电阻有助于减少电池能量损耗，延长电池寿命。 5. LED 驱动：FQD2P40TM 也可以用于 LED 驱动电路中，作为开关元件控制 LED 的亮度和工作状态。其高效的开关特性可以实现精确的亮度调节和节能效果。 6. 通信设备：在通信设备中，FQD2P40TM 可以用于信号切换和功率放大电路中，提供可靠的开关功能和低噪声性能。 7. 工业自动化：在工业自动化控制系统中，FQD2P40TM 可以用于控制各种执行器和传感器，实现精确的开关操作和信号处理。 总之，FQD2P40TM 凭借其低导通电阻、快速开关速度和高可靠性，适用于多种电力电子应用，特别是在需要高效能和低损耗的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAKMOSFET P-Channel QFET MOSFET -400V, -1.56A, 6.5Ohms |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.56 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.56 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 否无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQD2P40TMQFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQD2P40TM |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 6.5 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 6.5 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 400 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 400 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 33 ns |
| 下降时间 | 25 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 350pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6.5 欧姆 @ 780mA，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-252，（D-Pak） |
| 其它名称 | FQD2P40TM-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 22 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单位重量 | 260.370 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 400V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.56A （Tc） |
| 系列 | FQD2P40 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
.jpg)
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
(SN).jpg)
