ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > FQD2P40TF_F080
图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： FQD2P40TF_F080
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD2P40TF_F080由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD2P40TF_F080价格参考。Fairchild SemiconductorFQD2P40TF_F080封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 400V 1.56A（Tc） 2.5W（Ta），38W（Tc） D-Pak。您可以下载FQD2P40TF_F080参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQD2P40TF_F080 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQD2P40TF_F080是ON Semiconductor（安森美半导体）生产的单通道MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于增强型N沟道功率MOSFET。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面： 1. 电源管理：FQD2P40TF_F080常用于各种电源管理系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器等。它能够高效地进行电压和电流的转换与调节，确保电子设备在不同工作状态下都能获得稳定可靠的电源供应。 2. 电机控制：在电机驱动电路中，该MOSFET可用于实现对电机转速、方向及启动/停止的精确控制。由于其低导通电阻特性，可以减少发热并提高效率，适用于小型直流电机或步进电机等场合。 3. 负载开关：作为负载开关使用时，FQD2P40TF_F080能够快速响应输入信号的变化，从而控制后级电路的通断状态。这在便携式电子产品（如手机充电器、平板电脑等）中非常常见，有助于延长电池寿命并保护电路免受过载损害。 4. 汽车电子：在汽车领域，此款MOSFET可用于车身控制系统（如车窗升降、座椅调节等）、LED照明系统以及新能源汽车的动力总成部分。其良好的电气性能和可靠性使其能够在严苛的工作环境下保持正常运作。 5. 工业自动化：在工业环境中，FQD2P40TF_F080可用于构建PLC（可编程逻辑控制器）、传感器接口电路以及其他需要高精度电流控制的应用场景。凭借其出色的开关速度和耐压能力，能够满足复杂工业应用的需求。 总之，FQD2P40TF_F080凭借其优异的电气参数和广泛适用性，在众多电子设备和系统中扮演着重要角色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQD2P40TF_F080 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 350pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6.5 欧姆 @ 780mA，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 400V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.56A （Tc） |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
