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型号： FQD2N80TM_WS
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FQD2N80TM_WS由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD2N80TM_WS价格参考。Fairchild SemiconductorFQD2N80TM_WS封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 800V 1.8A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak。您可以下载FQD2N80TM_WS参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQD2N80TM_WS 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQD2N80TM_WS 是由 ON Semiconductor 生产的单通道 N 沟道 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），其应用场景非常广泛，尤其适合于需要高效、低损耗和高可靠性的功率转换和控制电路中。以下是该型号的主要应用场景：

1. 电源管理：
   - FQD2N80TM_WS 适用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器等电源管理系统。其低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性使其能够有效降低功耗，提高效率。
   - 在不间断电源（UPS）系统中，该 MOSFET 可以用于电池充电和放电控制，确保系统的稳定性和可靠性。

2. 电机驱动：
   - 该 MOSFET 适用于各种电机驱动应用，如无刷直流电机（BLDC）、步进电机和伺服电机。它可以作为开关元件，精确控制电机的启动、停止和速度调节。
   - 在电动工具、家用电器和工业自动化设备中，FQD2N80TM_WS 可以提供高效的电机驱动解决方案。

3. 负载切换和保护：
   - 在汽车电子和消费电子领域，FQD2N80TM_WS 可用于负载切换电路，实现对不同负载的快速响应和保护功能。
   - 它还可以用于过流保护、短路保护和热保护电路中，确保系统的安全性和稳定性。

4. 通信和网络设备：
   - 在通信基站、路由器和交换机等网络设备中，FQD2N80TM_WS 可用于电源管理和信号处理电路，提供高效的功率转换和稳定的性能。
   - 其低噪声特性和高可靠性使其非常适合对电磁兼容性（EMC）要求较高的应用。

5. 太阳能逆变器：
   - 在太阳能光伏发电系统中，FQD2N80TM_WS 可用于逆变器电路，将直流电转换为交流电，提高能源利用效率。
   - 其优异的热性能和耐用性使得它能够在恶劣环境下长期稳定工作。

总之，FQD2N80TM_WS 凭借其卓越的电气性能和可靠性，在电力电子、电机控制、通信设备和新能源等领域有着广泛的应用前景。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
产品分类	FET - 单
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	Fairchild Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	FQD2N80TM_WS
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	QFET®
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	550pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	15nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	6.3 欧姆 @ 900mA，10V
供应商器件封装	D-Pak
功率-最大值	2.5W
包装	带卷（TR）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
标准包装	2,500
漏源极电压(Vdss)	800V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	1.8A （Tc）