【晶体管 - FET，MOSFET - 单_FQD2N80TM】封装/厂家_FQD2N80TM中文资料_价格

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详细数据请看参考数据手册

型号： FQD2N80TM
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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FQD2N80TM产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FQD2N80TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD2N80TM价格参考￥2.06-￥2.36。Fairchild SemiconductorFQD2N80TM封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 800V 1.8A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount D-Pak。您可以下载FQD2N80TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQD2N80TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAKMOSFET 800V N-Channel QFET
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	1.8 A
Id-连续漏极电流	1.8 A
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQD2N80TMQFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
产品型号	FQD2N80TM
PCN封装	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	2.5 W
Pd-功率耗散	2.5 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	6.3 Ohms
RdsOn-漏源导通电阻	6.3 Ohms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	800 V
Vds-漏源极击穿电压	800 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 30 V
Vgs-栅源极击穿电压	30 V
上升时间	30 ns
下降时间	28 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	550pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	15nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	6.3 欧姆 @ 900mA，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356
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产品种类	MOSFET
供应商器件封装	D-Pak
其它名称	FQD2N80TMCT
典型关闭延迟时间	25 ns
功率-最大值	2.5W
包装	剪切带（CT）
单位重量	260.370 mg
商标	Fairchild Semiconductor
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
封装/箱体	DPAK-2
工厂包装数量	2500
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
正向跨导-最小值	2.4 S
漏源极电压(Vdss)	800V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	1.8A （Tc）
系列	FQD2N80
通道模式	Enhancement
配置	Single