【晶体管 - FET，MOSFET - 单_FQD20N06TM】封装/厂家_FQD20N06TM中文资料_价格

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详细数据请看参考数据手册

型号： FQD20N06TM
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FQD20N06TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD20N06TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQD20N06TM封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 60V 16.8A（Tc） 2.5W（Ta），38W（Tc） D-Pak。您可以下载FQD20N06TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQD20N06TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQD20N06TM 是由 ON Semiconductor 生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。该型号属于单个晶体管，具有以下关键特性：

1. 低导通电阻：该器件的导通电阻（Rds(on)）非常低，在 Vgs = 10V 时，典型值为 3.5mΩ。这使得它在高电流应用中效率更高，减少了功率损耗。

2. 高电流处理能力：最大连续漏极电流（Id）可达 179A，适用于需要大电流驱动的应用场景。

3. 耐压能力：最大漏源电压（Vds）为 60V，适合用于低压到中等电压范围内的电路设计。

4. 快速开关速度：由于其较低的栅极电荷（Qg），可以实现快速开关操作，减少开关损耗，适用于高频应用。

 应用场景

1. 电源管理：
   - DC-DC 转换器：作为主开关或同步整流器，FQD20N06TM 可以显著提高转换效率，特别适用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的电源模块。
   - 电池管理系统：用于保护电池组免受过充、过放和短路的影响，确保电池安全运行。

2. 电机控制：
   - 无刷直流电机（BLDC）驱动：在电动工具、家用电器和工业自动化设备中，MOSFET 的低导通电阻有助于提高电机效率并降低发热量。
   - 伺服电机控制：用于精确控制电机的速度和位置，适用于机器人和精密制造领域。

3. 汽车电子：
   - 车载充电器：为电动汽车和混合动力汽车提供高效、可靠的充电解决方案。
   - 车身控制系统：如车窗升降、座椅调节等，要求高可靠性和低功耗的开关元件。

4. 消费电子产品：
   - 智能家电：如空调、冰箱等，用于内部电源管理和负载控制。
   - 便携式设备：如移动电源、平板电脑等，MOSFET 的小尺寸和高效性能使其成为理想选择。

总之，FQD20N06TM 凭借其卓越的电气性能和可靠性，广泛应用于各种需要高效功率转换和控制的场合。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAKMOSFET 60V N-Ch QFET Logic Level
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	16.8 A
Id-连续漏极电流	16.8 A
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQD20N06TMQFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
产品型号	FQD20N06TM
PCN封装	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	2.5 W
Pd-功率耗散	2.5 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	63 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	63 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	60 V
Vds-漏源极击穿电压	60 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 25 V
Vgs-栅源极击穿电压	25 V
上升时间	45 ns
下降时间	25 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	590pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	15nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	63 毫欧 @ 8.4A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-252-3
其它名称	FQD20N06TM-ND FQD20N06TMTR
典型关闭延迟时间	20 ns
功率-最大值	2.5W
包装	带卷（TR）
单位重量	260.370 mg
商标	Fairchild Semiconductor
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	63 mOhms
封装	Reel
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
封装/箱体	DPAK-2
工厂包装数量	2500
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	2,500
正向跨导-最小值	10 S
汲极/源极击穿电压	60 V
漏极连续电流	16.8 A
漏源极电压(Vdss)	60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	16.8A （Tc）
系列	FQD20N06
通道模式	Enhancement
配置	Single